物料型号:DMP1080UCB4
器件简介:这是一个P沟道增强型MOSFET,采用LD-MOS技术,具有最低的优值。它旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持优越的开关性能,非常适合高效率的电源管理应用。
引脚分配:文档中提供了一个引脚连接图,但未提供详细的文字描述。从图中可以看到,有源极(S)、漏极(D)、栅极(G)和源极(S)的标记。
参数特性:
- 导通电阻(RDS(ON)):典型值为65毫欧,以最小化导通状态下的损耗。
- 栅极电荷(Qg):2.5纳库,实现超快开关。
- 栅极阈值电压(VGS(TH)):典型值为-0.6伏,具有较低的开启潜力。
- 封装高度:0.62毫米,适用于低轮廓设计。
- ESD保护:门极具有3千伏的HBM保护。
功能详解:该MOSFET完全无铅,符合RoHS标准,是“绿色”设备,不含卤素和锑。它适用于需要特定变更控制的汽车应用,如符合AEC-Q100/101/200标准,PPAP能力,以及在IATF 16949认证的设施中制造。
应用信息:该部件符合JEDEC标准,适用于高可靠性应用,如电池管理、负载开关和电池保护。
封装信息:采用U-WLB1010-4封装,尺寸为1.0毫米×1.0毫米,重量约为0.0018克。