DMP2070UQ-7

物料型号：DMP2070UQ

器件简介： DMP2070UQ 是一款 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET（P沟道增强型MOS管），旨在最小化导通电阻（RDS(ON)）同时保持优越的开关性能，非常适合用于高效能的电源管理应用。

该器件适用于需要特定变更控制的汽车应用，已通过AEC-Q101认证，能够提供PPAP，并在IATF 16949认证的设施中制造。

引脚分配： - SOT23封装的DMP2070UQ有三个引脚，具体分配如下： - 引脚1：Source（源极） - 引脚2：Gate（栅极） - 引脚3：Drain（漏极）

参数特性： - 最大漏源电压（VDSS）：-20V - 栅源电压（VGSS）：±8V - 连续漏源电流（ID）：在VGS = -4.5V时为-4.6A，在VGS = -2.5V时为-4A - 最大瞬态漏源电流（IOM）：-20A - 最大连续体二极管正向电流（IS）：-1.9A - 雪崩电流（IAS）：-14A - 雪崩能量（EAS）：10mJ

功能详解： - 低导通电阻（RDS(ON)） - 低输入电容 - 快速开关速度 - 低输入/输出漏电流 - ESD保护栅 - 完全无铅且符合RoHS标准 - 无卤素和锑的“绿色”器件

应用信息： DMP2070UQ 适用于高效率电源管理应用，如负载开关。

封装信息： - 封装类型：SOT23 - 封装材料：模塑塑料，“绿色”封装化合物 - 引脚表面处理：镀锡的铜引线框架 - 符合MIL-STD-202方法208的可焊性 - 重量：大约0.009克

以上信息提供了DMP2070UQ MOSFET的详细规格和特性，有助于在设计和应用中做出技术决策。