物料型号: DMP26M7UFG
器件简介: 这是一个旨在最小化导通电阻(RDS(ON))并保持优越开关性能的P沟道增强型MOSFET,适合用于高效率的电源管理应用。
引脚分配: 引脚配置为S, G, D, D(源极,栅极,漏极,漏极)。
参数特性:
- V(BR)DSS: -20V
- RDS(ON) Max: 6.7mΩ @ VGs= -4.5V, 9.0mΩ @ Vas=-2.5V
- lp Max: -40A
功能详解: 提供低导通电阻以确保导通状态下的损耗最小化,小尺寸热效率高的封装使终端产品体积更小,无铅且完全符合RoHS标准。
应用信息: 适用于UL可燃性分类等级94V-0的电源管理功能,如负载开关。
封装信息: POWERDI3333-8,封装材料为模塑料,“绿色”模塑料化合物。
封装尺寸和布局信息可在Diodes公司网站查阅。