物料型号：DMP34M4SPS
器件简介：30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET，专为降低导通电阻（RDS(ON)）同时保持优越的开关性能而设计，适用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
引脚分配：PowerDI®5060-8封装，Site 1和Site 2两种不同的焊盘布局。
参数特性：在25°C时，VGS=-10V的条件下，RDS(ON)最小值为2.9mΩ，而在VGS=-5V时为6.0mΩ。
漏极电流（ID）在VGS=-10V时为-87A，在VGS=-5V时为-71A。
功能详解：具有100%无钳位电感开关（UIS）测试，适合热效率高的应用，有助于提高转换效率。
应用信息：适用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
封装信息：PowerDI®5060-8封装，材料为模塑料，“绿色”模塑化合物，UL可燃性分类等级94V-0，表面处理为镀锡铜框架，符合MIL-STD-202方法208的可焊性，重量约为0.097克。
以上信息摘自DMP34M4SPS的数据手册，详细描述了该型号MOSFET的电气特性、热特性、最大额定值、建议的焊盘布局等关键信息。
