物料型号:DMPH3010LPS
器件简介:这是一款新一代的P沟道增强型MOSFET,旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持优越的开关性能,非常适合高效率的电源管理应用。
引脚分配:PDF中提供了顶视图和底视图,展示了引脚配置,包括D(漏极)、G(栅极)和S(源极)。
参数特性:
- 漏源电压(V(BR)DSS):-30V
- 栅源电压(VGSS):未明确给出具体数值
- 连续漏源电流(ID):在Vas=-10V时为-15A,在Vas=-4.5V时为-10A
- 最大体二极管连续电流(Is):-3.5A
- 雪崩电流(IAS):-47A
- 雪崩能量(EAS):113mJ
功能详解:该MOSFET具有100%无钳位感性开关(UIS)测试,低导通电阻,快速开关速度,无铅表面处理,符合RoHS标准,无卤素和锑的“绿色”器件,符合AEC-Q101高可靠性标准。
应用信息:适用于DC-DC转换器、电源管理功能、模拟开关等。
封装信息:封装类型为POWERDI®5060-8,材料为模塑塑料,绿色模塑料化合物,UL阻燃等级94V-0。还提供了机械数据和建议的焊盘布局。