物料型号：DMPH6050SPD
器件简介：DMPH6050SPD 是一款 175°C 60V 的双 P 沟道增强型 MOSFET，旨在最小化导通电阻（RDS(ON)）同时保持优越的开关性能，非常适合高效率的电源管理应用。
引脚分配：S1（源极）、D1 和 D2（漏极）、G1 和 G2（栅极）。
参数特性：
- 漏源电压（BVDS）：-60V
- 导通电阻（RDS(ON)）：在 VGS=-10V 时最大为 48mΩ，在 VGS=-4.5V 时为 60mΩ
- 在 +25°C 下的最大漏极电流（ID）：-26A
- 在 +25°C 下的功耗（PD）：1.5W
功能详解：
- 适用于高温环境，工作温度可达 +175°C
- 支持 100% 无钳位感性开关，确保应用更可靠和强健
- 低 RDS(ON) 降低功率损耗
- 低 Qg 降低开关损耗
- 无铅、完全符合 RoHS 标准
应用信息：
- 适用于汽车管理系统、车身控制电子、DC-DC 转换器等
封装信息：PowerDI5060-8（Type C），塑封，绿色模塑料，UL 阻燃等级 94V-0，潮湿敏感度等级 1 根据 J-STD-020 标准，封装重量约为 0.097 克。
