物料型号：
- 型号：DMT6004SPS
器件简介：
- DMT6004SPS是一款60V N-CHANNEL增强型MOSFET，旨在降低导通电阻（RDS(ON)）的同时保持优越的开关性能，适用于高效率的电源管理应用。
引脚分配：
- 该数据手册提供了顶部视图和底部视图以及内部电路图，展示了引脚配置。
参数特性：
- 漏源电压（VDS）：60V
- 栅源电压（VGS）：+20V
- 连续漏极电流（ID）：在+25°C和+70°C下分别为100A
- 最大连续体二极管正向电流（IS）：100A
- 脉冲漏极电流（IDM）：400A（10us脉冲，占空比=1%）
- 雪崩电流（IAS）：45A
- 雪崩能量（EAS）：200mJ
功能详解：
- 该MOSFET具有100%无钳位感性开关（UIS）测试，确保更可靠和稳健的最终应用。
- 低RDS(ON)和低Qg，分别最小化功率损耗和开关损耗。
- 符合RoHS标准，无卤素和锑，是“绿色”设备。
- 适用于汽车应用，如需特定变更控制，请联系厂家。
应用信息：
- 适用于同步整流DC-DC转换器等高效率电源管理应用。
封装信息：
- 封装：PowerDI®5060-8
- 封装材料：模塑塑料，“绿色”模塑化合物；UL可燃性分类等级94V-0
- 终端表面处理：铜引线框架上覆盖的锡层；符合MIL-STD-202方法208的可焊性
- 重量：约0.097克
