物料型号:
- 型号:DMT6004SPS
器件简介:
- DMT6004SPS是一款60V N-CHANNEL增强型MOSFET,旨在降低导通电阻(RDS(ON))的同时保持优越的开关性能,适用于高效率的电源管理应用。
引脚分配:
- 该数据手册提供了顶部视图和底部视图以及内部电路图,展示了引脚配置。
参数特性:
- 漏源电压(VDS):60V
- 栅源电压(VGS):+20V
- 连续漏极电流(ID):在+25°C和+70°C下分别为100A
- 最大连续体二极管正向电流(IS):100A
- 脉冲漏极电流(IDM):400A(10us脉冲,占空比=1%)
- 雪崩电流(IAS):45A
- 雪崩能量(EAS):200mJ
功能详解:
- 该MOSFET具有100%无钳位感性开关(UIS)测试,确保更可靠和稳健的最终应用。
- 低RDS(ON)和低Qg,分别最小化功率损耗和开关损耗。
- 符合RoHS标准,无卤素和锑,是“绿色”设备。
- 适用于汽车应用,如需特定变更控制,请联系厂家。
应用信息:
- 适用于同步整流DC-DC转换器等高效率电源管理应用。
封装信息:
- 封装:PowerDI®5060-8
- 封装材料:模塑塑料,“绿色”模塑化合物;UL可燃性分类等级94V-0
- 终端表面处理:铜引线框架上覆盖的锡层;符合MIL-STD-202方法208的可焊性
- 重量:约0.097克