物料型号:DMT6009LJ3
器件简介:这是一款60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,专为高效率电源管理应用设计,以最小化导通电阻(RDS(ON))同时保持优越的开关性能。
引脚分配:文档中提供了TO251 (Type TH)封装的顶视图和底视图,但具体的引脚分配需要查看图表部分。
参数特性:
- 漏源电压(BVDss):60V
- 最大导通电阻(RDS(ON) Max):10mΩ @ VGs=10V,12.8mΩ @ VGs=4.5V
- 连续漏电流(ID):74.5A @ Tc=+25°C
- 脉冲漏电流(IOM):280A (10μs脉冲,占空比=1%)
- 雪崩电流(IAS):28.2A
- 雪崩能量(EAS):39.8mJ
功能详解:
- 100%无钳位感性开关,确保更可靠和稳健的最终应用。
- 低RDS(ON),确保导通状态下的损耗最小化。
- 优秀的Qgd x RDS(ON)产品(FOM)适用于DC-DC转换器。
- 小型化热效率高的封装,实现更高密度的最终产品。
- 无铅表面处理,符合RoHS标准。
应用信息:
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 背光
封装信息:
- 封装类型:TO251 (Type TH)
- 封装材料:模塑塑料,“绿色”模塑料化合物。
- UL阻燃等级:94V-0
- 湿度敏感性等级:J-STD-020标准下的1级