物料型号为 DMT6010LSS。
这是一个60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,具有以下特点和应用:
- 100% UIS测试生产
- 高转换效率
- 低RDS(ON) - 最小化导通状态下的损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑的“绿色”设备
- 符合AEC-Q101标准的高可靠性
引脚分配和封装信息如下:
- 封装类型:SO-8
- 引脚从顶部视图的左侧开始依次为:G(栅极)、S(源极)、D(漏极),重复此序列。
参数特性包括:
- 漏极-源极电压(Voss):60V
- 栅极-源极电压(Vass):20V
- 连续漏极电流(在Vas=10V时):14.0A(TA=+25°C时)/ 11.0A(TA=+70°C时)
- 最大连续体二极管正向电流:3A
- 脉冲漏极电流(10us脉冲,占空比=1%):80A
功能详解:
- 该新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化RDS(ON),同时保持优越的开关性能。
该设备非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
应用信息:
- 背光电源管理功能
- DC-DC转换器
有关订购信息、标记信息、最大额定值、热特性、电气特性等更多详细信息,请参考数据手册。