物料型号：DMT69M5LCG
器件简介：
- 这是一款60V N-CHANNEL增强型MOSFET，专为降低导通电阻(RDS(ON))同时保持优越的开关性能而设计。适用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
引脚分配：
- 根据封装V-DFN3333-8 (Type B)的顶视图和底视图，引脚从G(栅极)、D(漏极)到S(源极)有明确的分配。
参数特性：
- 漏源电压(BVDSS)：60V
- 导通电阻(RDS(ON) Max)：在VGs=10V时为8.3mΩ，在VGs=4.5V时为12.5mΩ
- 连续漏源电流(ID)：在Tc=+25°C时为52.1A，在VGs=4.5V时为42.4A
- 输入电容(Ciss)：1406pF
- 开关速度：快速开关速度，具体数值未给出
功能详解：
- 该MOSFET具有100%无钳位感性开关(UIS)测试，确保更可靠和健壮的最终应用。
- 高转换效率和低导通电阻有助于最小化导通状态下的损耗。
- 低输入电容和快速开关速度有助于提高整体性能。
应用信息：
- 适用于同步整流电源管理功能、DC-DC转换器等。
封装信息：
- 封装类型：V-DFN3333-8 (Type B)
- 封装材料：模塑塑料，“绿色”封装化合物，符合UL 94V-0易燃性分类等级。
- 重量：约0.027克
- 湿度敏感性：按照J-STD-020标准为1级。
