DMT8008LFG-13

物料型号：DMT8008LFG 器件简介：DMT8008LFG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，专为降低导通电阻（RDS(ON)）而设计，同时保持优越的开关性能，适用于高效率电源管理应用。

引脚分配：D（漏极）、G（栅极）、S（源极） 参数特性：80V 漏源电压、最大 6.9mΩ 在 10V 栅源电压下的导通电阻、48A 最大漏极电流（VGS=10V，Tc= +25°C） 功能详解：该 MOSFET 通过优化导通和开关性能，用于 DC-DC 转换器等电源管理功能，有助于实现更小尺寸、更高密度的终端产品。

应用信息：适用于电源管理功能、DC-DC 转换器、背光等。

封装信息：采用 PowerDI3333-8 封装，尺寸和安装细节详见数据手册。

以上信息摘自 DMT8008LFG 的数据手册，提供了详细的技术规格和应用指导。