1. 物料型号:DMTH10H010LCT
2. 器件简介:
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
- 100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
- 适用于高环境温度
- 低输入电容
- 高BVDSS额定值,适用于电力应用
- 低输入/输出漏电
- 无铅表面处理;符合RoHS指令(注释1和2)
- 符合AEC-Q101标准的高可靠性“绿色”设备(注释3)
3. 引脚分配:
- 封装:TO220AB
- 引脚配置:D(漏极)、G(栅极)、S(源极)
- 封装材料:模塑塑料,“绿色”模塑料
- 引脚端子:镀锡铜框架,符合MIL-STD-202方法208的可焊性
- 重量:TO220AB – 1.85克(大约)
4. 参数特性:
- 最大额定值:漏源电压(Vpss)100V,栅源电压(VGSS)20V,连续漏源电流(ID)108A
- 热特性:总功耗(PD)166W,结到环境的热阻(ROJA)61°C/W,结到封装的热阻(ROJC)0.9°C/W
- 电气特性:漏源击穿电压(BVpss)100V,栅源漏电流(IGSS)+100nA,阈值电压(VGS(TH))1.9V,静态漏源导通电阻(RDS(ON))6.9mΩ
5. 功能详解:
- 适用于高效能的电力管理应用
- 符合AEC-Q101标准的高可靠性
- 无卤素和锑的“绿色”产品
6. 应用信息:
- 电机控制、背光、DC-DC转换器、电力管理功能
7. 封装信息:
- 封装类型:TO220AB
- 封装材料:模塑塑料,“绿色”模塑化合物
- UL可燃性分类等级94V-0