物料型号:DMTH3004LPS
器件简介:
- 这是一个N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,设计用于降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持优越的开关性能,非常适合高效率的电源管理应用。
引脚分配:
- 引脚配置为POWERDI®5060-8封装,包括源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
参数特性:
- 最大漏源电压(BVpss):30V
- 栅源电压(VGss):连续20V,脉冲16V
- 最大漏极电流(Io):145A(Tc=+25°C时)
- 导通电阻(RDS(ON)):最大3.8mΩ(VGs=10V时)
功能详解:
- 该MOSFET具有低RDS(ON),优秀的Qgd x RDS(ON)乘积(FOM),适合DC-DC转换器的先进技术。
- 100%无钳位感性开关,确保更高的可靠性。
- 无铅表面处理,符合RoHS标准。
应用信息:
- 适用于背光电源管理功能和DC-DC转换器。
封装信息:
- 封装类型:POWERDI®5060-8
- 封装材料:模塑塑料,"绿色"模塑化合物。
- 重量:大约0.097克。
注意事项:
- 文档中还提供了关于产品包装、标记信息、最大额定值、热特性、电气特性等详细信息。