物料型号:DMTH6005LPSQ
器件简介:这是一个60V N-CHANNEL增强型MOSFET,适用于高温环境,符合AEC-Q101标准,适用于汽车应用。
引脚分配:PDF中提供了顶视图和底视图,展示了D(漏极)、G(栅极)、S(源极)的布局。
参数特性:
- 漏源电压(BVpss):60V
- 最大连续漏电流(Id):100A(25°C时)
- 栅源最大导通电阻(RDS(ON) max):5.5mΩ(在VGs=10V时)
- 工作和存储温度范围:-55°C 至 +175°C
功能详解:
- 100%无钳位感性开关,确保更可靠和稳健的最终应用
- 低RDS(ON),最小化功率损耗
- 低Qg,最小化开关损耗
- 符合RoHS标准的无铅表面处理,不含卤素和锑的“绿色”器件
应用信息:
- 高频开关
- 同步整流
- DC-DC转换器
封装信息:PowerDI5060-8,塑封,符合UL 94V-0易燃性分类,重量约为0.097克。