DMTH6016LPD-13

物料型号：DMTH6016LPD

器件简介：这是一个60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET，设计用于最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持优越的开关性能，非常适合高效率的电源管理应用。

引脚分配：D1, D2为漏极，S1, S2为源极，G1, G2为栅极。

参数特性： - 漏源电压（Vpss）：60V - 栅源电压（VGss）：未明确给出，但通常为20V - 连续漏电流（ID）：在Tc=+100°C和TA=+25°C时分别为9.2A和6.5A - 脉冲漏电流（IOM）：50A - 最大连续体二极管正向电流（Is）：31A - 雪崩电流（IAS）：15.3A - 雪崩能量（EAS）：11.7mJ

功能详解： - 适用于高环境温度环境，额定+175°C - 生产中进行100%未夹持感性开关（UIS）测试，确保更可靠和健壮的最终应用 - 高转换效率、低输入电容、快速开关速度 - 完全无铅且完全符合RoHS（注意1和2） - 无卤素和锑的“绿色”设备（注意3） - 符合AEC-Q101标准的高可靠性 - 汽车合规部件在单独的数据表下提供（DMTH6016LPDQ）

应用信息： - 发动机管理系统 - 车身控制电子 - DCDC转换器

封装信息：PowerDI®5060-8 (Type C)，封装材料为模塑料，“绿色”成型化合物，UL阻燃等级94V-0，湿度敏感性等级1，根据MIL-STD-202，方法208可焊。

请注意，以上信息是基于PDF文档内容的摘要，详细规格和应用指南应参考完整的数据手册。