物料型号：DMTH8004LPS
器件简介：这是一款新一代MOSFET，旨在最小化导通电阻(RDS(ON))，同时保持优越的开关性能。适用于电源管理和负载开关。
引脚分配：该器件采用PowerDI5060-8封装，引脚包括漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。
参数特性：
- 漏源电压(BVDss)：80V
- 栅源电压(VGSS)：20V
- 连续漏源电流：在+25°C时为100A，在+100°C时为83A
- 脉冲漏源电流：400A（10μs脉冲，占空比1%）
- 雪崩电流(IAS)：35A
- 雪崩能量(EAS)：183.7mJ
功能详解：
- 设计用于高温环境，额定工作温度高达+175°C。
- 生产中进行100%无钳位感性开关测试(UIS)，确保更可靠和稳健的最终应用。
- 高转换效率和低导通电阻，以最小化导通状态下的损耗。
- 无铅表面处理，符合RoHS标准。
应用信息：适用于DC-DC转换器和负载开关。
封装信息：PowerDI5060-8封装，采用模塑塑料，绿色模塑料化合物。UL阻燃等级94V-0，湿度敏感度等级为J-STD-020标准的1级。
