物料型号:DMTH8008LPS
器件简介:这是一款新一代的N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,旨在最小化导通电阻RDS(ON),同时保持优越的开关性能。适用于电源管理和负载开关。
引脚分配:文档中提供了PowerDI5060-8的顶视图和底视图,展示了D、S、G三个引脚的位置。
参数特性:
- 漏源电压(BVpss):80V
- 导通电阻(RDS(ON)):在VGs=10V时为7.8mΩ,在VGs=4.5V时为11mΩ
- 漏极电流(Io):在Tc= +25°C时为91A
功能详解:
- 适用于+175°C的高温环境
- 生产中进行100%未钳位感性开关测试(UIS),确保更可靠和稳健的最终应用
- 高转换效率
- 低RDS(ON),最小化导通状态下的损耗
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 符合EU指令2002/95/EC (RoHS), 2011/65/EU (RoHS 2) & 2015/863/EU (RoHS 3)
应用信息:适用于DC-DC转换器和负载开关。
封装信息:PowerDI®5060-8,材料为模塑塑料,使用“绿色”成型化合物,UL阻燃等级94V-0。