物料型号：DMTH8030LPDWQ
器件简介：80V 175°C 双N沟道增强型模式MOSFET，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，支持PPAP，制造于IATF 16949认证的设施。
引脚分配：D1、D2为漏极，G1、G2为栅极，S1、S2为源极。
参数特性：漏源电压80V，最大导通电阻26mΩ@VGs=10V，最大漏极电流28.5A@Tc=+25°C。
功能详解：快速开关速度，符合无铅和RoHS标准，无卤素和锑的“绿色”器件，适合高环境温度应用。
应用信息：适用于DC-DC转换器和电机等。
封装信息：PowerDI®5060-8，塑封，UL94V-0阻燃等级，表面贴装型。
以上信息摘自DIODES公司提供的DMTH8030LPDWQ型号的PDF数据手册。
