1. 物料型号:文档描述了FMMV2101至FMMV2109系列的可变电容二极管。
2. 器件简介:文档没有提供具体的器件简介,但根据标题,这些是硅平面可变电容二极管。
3. 引脚分配:文档中提到了SOT23封装,但未详细说明引脚分配。
4. 参数特性:
- 反向电压(VR):30V
- 正向电流(IF):200mA
- 在Tamb=25°C时的总功耗(Ptot):330mW
- 工作和存储温度范围(Tj-Tstg):-55°C至+150°C
5. 功能详解:
- 反向击穿电压(VBR):30V
- 反向电流(IR):在VR=25V时最大为20nA
- 串联电感(Ls):在f=250MHz时,大约为3.0nH
- 二极管电容温度系数(Tcc):在VR=4V, f=1MHz时,为280ppm/°C至400ppm/°C
- 外壳电容(Cc):在f=1MHz时为0.15pF
6. 应用信息:文档没有提供具体的应用信息,但可变电容二极管通常用于调谐电路。
7. 封装信息:SOT23封装。
8. 调谐特性:文档列出了不同型号的标称电容值、品质因数(Q值)和调谐比(C2/C3)。