物料型号:FZT849TA
器件简介:FZT849是一款30V NPN中功率高电流晶体管,封装在SOT223中。它具有超过30V的集电极-发射极电压(BVCEO),7A的高连续集电极电流(IC),以及20A的峰值脉冲电流(ICM)。此外,它的功率耗散为3W,具有极低的等效导通电阻(RCE(SAT)),在5A时为36欧姆。
引脚分配:SOT223封装的引脚从上到下依次为C(集电极)、B(基极)、E(发射极)。
参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):80V
- 集电极-发射极电压(VCEO):30V
- 发射极-基极电压(VEBO):7V
- 连续集电极电流(Ic):7A
- 峰值脉冲电流(ICM):20A
功能详解:FZT849具有极低的饱和电压和导通电阻,适合在需要高电流和高电压的应用中使用。它还符合AEC-Q101标准,适用于高可靠性要求的应用。
应用信息:FZT849适用于需要高电流和高电压的应用场合,例如电源管理、电机驱动、音频放大器等。
封装信息:SOT223封装,材料为模塑料,具有UL阻燃等级94V-0的绿色模塑料化合物。引脚表面处理为镀锡,符合MIL标准。