物料型号：FZT855
器件简介：
- 150V NPN中功率晶体管
- 采用SOT223封装
引脚分配：
- 从文档的顶视图可看到，引脚分配为B（基极）、E（发射极）、C（集电极）
参数特性：
- 集电极-基极电压（BVCEO）> 150V
- 集电极电流（IC）连续5A，峰值脉冲10A
- 饱和电压（VCE(sat)）在1A时小于110mV
- 基极电流（IB）为1A
- 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）未明确给出，但通常在0.7V左右
功能详解：
- 该晶体管具有高增益和低饱和电压，适用于需要高效率和高功率的应用场景。
应用信息：
- 适用于汽车应用，特别是那些需要特定变更控制的应用。
封装信息：
- 封装类型：SOT223（Type DN）
- 封装材料：模塑塑料，使用“绿色”封装化合物，符合UL 94V-0可燃性等级
- 重量：约0.112克
绝对最大额定值：
- 集电极-基极电压（VCBO）：250V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：150V
- 发射极-基极电压（VEBO）：7V
热特性：
- 热阻，结到环境（ReJA）：42°C/W
- 热阻，结到引脚（ReJl）：8.8°C/W
ESD等级：
- 人体模型（HBM）：≥8,000V
- 机器模型（MM）：≥400V
电气特性：
- 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：250V至375V
- 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：150V至180V
- 直流电流增益（hFE）：在不同集电极电流下有不同的范围，例如在Ic=10mA, VcE=5V时，最小值为100，最大值为300
典型电气特性：
- 饱和电压（VCE(sat)）随集电极电流变化而变化，例如在Ic=1A, I=100mA时，范围为40mV至110mV
封装尺寸：
- 详细信息可在DIODES官方网站上找到
重要提示：
- 文档中包含了DIODES公司对其产品的免责声明和知识产权声明。
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