MMDT5401Q-7-F

MMDT5401Q-7-F

  • 厂商:

    BCDSEMI(美台)

  • 封装:

    TSSOP6,SC88,SOT363

  • 描述:

    SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363

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MMDT5401Q-7-F 数据手册
MMDT5401Q-7-F
1. 物料型号: - 型号:MMDT5401Q

2. 器件简介: - 这是一个双PNP小信号晶体管,设计用于满足汽车应用的严格要求。封装为SOT363,使用绿色模塑料,UL可燃性等级94V-0。该器件完全符合RoHS指令,无铅,无卤素和锑,是一款“绿色”产品,符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力。

3. 引脚分配: - SOT363封装的引脚排列如下: - 引脚1:Collector(集电极) - 引脚2:Base(基极) - 引脚3:Emitter(发射极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 集电极-基极电压:-160V - 集电极-发射极电压:-150V - 发射极-基极电压:-6V - 连续集电极电流:-200mA - 热特性: - 功率耗散:320mW(在最小推荐的布局垫上,单面FR-4 PCB) - 热阻,结到环境:625°C/W(同上) - 热阻,结到封装:140°C - 工作和存储温度范围:-55°C到+150°C

5. 功能详解: - 该晶体管具备以下特性: - 按J-STD-020标准,湿度敏感度等级为1 - 终端采用锡镀层,符合MIL-STD-202标准方法208e3的可焊性要求 - 外延平面芯片结构 - 配对的NPN类型(MMDT5551Q)适用于中功率放大和开关,超小型表面贴装封装

6. 应用信息: - 该晶体管适用于中功率放大和开关,由于其超小型表面贴装封装,适用于空间受限的应用。

7. 封装信息: - 封装类型:SOT363 - 封装尺寸详细信息和建议的布局垫图可访问Diodes公司网站。
MMDT5401Q-7-F 价格&库存

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  • 9000+0.60968

库存:0