物料型号:ZABG4003
器件简介:ZABG4003是一款先进的GaAs和HEMT FETs偏置控制器,设计用于从最小的供电轨操作,主要用于卫星低噪声块(LNBs)。通过添加一个电容器和两个电阻器,ZABG4003为多达4个外部接地源FETs提供漏极电压和电流控制。它从2.1V至5V的单电源产生所需的FET门偏置的调节负电压。-2V的负偏置也可以用于供应其他外部电路。
引脚分配:ZABG4003采用16引脚U-QFN3030-16(Type B)封装,每个引脚都有特定的功能,例如漏极(D1-D4)、门极(G1-G4)、接地(Gnd)、供电电压(VDD)、负电压源(CSUB)、漏极电流设置(RCAL1, RCAL2)等。
参数特性:包括供电电压范围2.1V至5.5V,工作温度范围-40°C至+105°C,供电电流在0.95mA至2.0mA之间,振荡器频率为7.5MHz,以及FET门和漏极的电压和电流特性。
功能详解:ZABG4003具有为多达4个GaAs和HEMT FETs提供偏置的功能,适用于低功耗LNB、数字LNB、IP LNB、双LNB和四LNB,以及通用LNA偏置。它还具有动态FET保护和扩展的温度范围。
应用信息:ZABG4003可用于典型的LNA(低噪声放大器)应用,其中每个偏置阶段都提供门和漏极引脚。漏极引脚提供有调节的2.0V电源,并包括漏极电流监视。如果尝试从漏极引脚提取超过用户设置的漏极电流,将降低漏极电压以确保不超过电流。
封装信息:ZABG4003采用16引脚U-QFN3030-16(Type B)封装,封装尺寸和布局建议可在Diodes公司网站查阅。