物料型号:ZVN4310G
器件简介:该MOSFET旨在最小化导通电阻,同时保持优越的开关性能,非常适合高效率的电源管理应用,如DC-DC转换器和汽车应用中的电磁阀/继电器驱动。
引脚分配:SOT223封装,引脚从上到下依次为S(源极)、D(漏极)、G(栅极)。
参数特性:
- 漏源电压(Vpss):100V
- 栅源电压(Vass):+20V
- 连续漏电流(lp):1.67A
- 脉冲漏电流(IDM):12A
- 热阻从结到环境(ReJA):41.7°C/W
- 热阻从结到引脚(ReJl):8.84°C/W
- 工作和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
功能详解:
- 导通电阻(RDS(on))在VGS=10V时最大为0.54Ω
- 最大连续漏电流为1.67A
- 符合RoHS标准,无卤素和锑的"绿色"产品
应用信息:适用于需要特定变更控制的汽车应用,如AEC-Q100/101/200标准,PPAP能力,以及在IATF 16949认证的设施中生产。
封装信息:SOT223 (Type DN),封装材料为模塑塑料,UL阻燃等级94V-0,重量约为0.112克。