ZVNL110ASTZ

物料型号为ZVNL110A，是一款N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET。

器件简介包括100V的漏极-源极电压、低阈值电压、TO92兼容封装。

引脚分配为D（漏极）、G（栅极）、S（源极）。

参数特性包括： - 漏极-源极电压：100V - 25°C时连续漏极电流：320mA - 脉冲漏极电流：6A - 栅极-源极电压：±20V - 25°C时功率耗散：700mW - 工作和存储温度范围：-55至+150°C

功能详解涉及电气特性，如漏极-源极击穿电压、栅极-源极阈值电压、栅极-体漏电流、零栅极电压漏极电流、导通状态下的漏极电流、静态漏极-源极导通电阻、正向跨导、输入电容、共源输出电容、反向传输电容、导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间和下降时间。

应用信息未在文档中明确说明，但根据其特性，可能适用于需要高电压、低导通电阻和快速开关的应用。

封装信息为TO92，这是一种常见的小外形封装，适用于通过两个引脚（漏极和源极）和一个金属壳（栅极）进行散热的分立半导体器件。