物料型号:ZVP3306A
器件简介:这是一个P沟道增强型垂直DMOS FET,具有60伏的漏源电压和与TO92兼容的E-Line封装。
引脚分配:文档中没有直接提供引脚分配图,但通常TO92封装有三个引脚:漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。
参数特性:
- 漏源电压(Vps):-60V
- 25°C时连续漏电流(l):-160mA
- 脉冲漏电流(lDM):-1.6A
- 栅源电压(VGs):±20V
- 25°C时的总功耗(Ptot):625mW
- 工作和存储温度范围(T-Tstg):-55至+150℃
功能详解:文档提供了详细的电气特性表,包括漏源击穿电压、栅源阈值电压、栅体漏电流、零栅源电压漏电流、导通状态下的漏电流、静态漏源导通电阻、正向跨导、输入电容、共源输出电容、反向传输电容、导通延迟时间、上升时间、关闭延迟时间、下降时间等参数。
应用信息:文档没有明确提供应用信息,但根据其特性,这种FET可能用于电源管理、电机驱动、高频开关等应用。
封装信息:E-Line封装,与TO92兼容。