物料型号:ZXMS6004DT8Q
器件简介:ZXMS6004DT8Q 是一款双通道自我保护低压侧MOSFET,具有逻辑电平输入。
它集成了过温、过流、过压(主动钳位)和防静电放电保护的逻辑电平功能。
这款器件非常适合在恶劣环境下由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关,标准MOSFET的耐用性不足以满足要求。
引脚分配:包括D1, IN1, S1, D2, IN2, S2。
参数特性:
- 持续漏源电压:60V
- 开启状态下的电阻:500mΩ
- 5V下的名义负载电流:1.2A
- 钳位能量:210mJ
功能详解:包括过温、过流、过压和防静电放电保护,适用于高冲击电流负载,如灯具和电机,以及所有类型的电阻性、感性和容性负载在开关应用中。
应用信息:用于12V和24V直流应用的µC兼容电源开关,汽车等级,替代电磁继电器和离散电路。
封装信息:SM-8封装,采用模塑塑料和“绿色”模塑料化合物,无卤素和锑,符合RoHS标准和AEC-Q101标准,无铅表面处理。
以上信息摘自PDF文档,提供了关于ZXMS6004DT8Q MOSFET的详细规格和应用说明。