物料型号:ZXMS6005DN8Q
器件简介:这是一款60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET,具有逻辑电平输入,集成了过温、过流、过压(主动钳位)和ESD保护的逻辑电平功能。
引脚分配:文档中提供了SO-8封装的顶视图,展示了D1/D2(漏极/源极),S1/S2(源极),IN1/IN2(输入)的引脚分配。
参数特性:
- 连续漏源电压:60V
- 导通电阻:200mΩ
- 标称负载电流(VIN = 5V):1.8A
- 钳位能量:120mJ
功能详解:
- 低输入电流
- 逻辑电平输入(3.3V和5V)
- 短路保护与自动重启
- 过压保护(主动钳位)
- 热关断与自动重启
- 过流保护
- 输入保护(ESD)
- 高连续电流额定值
- 完全无铅且完全符合RoHS指令(注1和2)
- 无卤素和锑的“绿色”设备(注3)
- 符合AEC-Q101标准的高可靠性
- PPAP能力(注4)
- 湿度敏感性:J-STD-020标准1级
应用信息:
- 适用于机械数据、灯具驱动、电机驱动、继电器驱动、螺线管驱动等应用。
- 特别适合用于具有高浪涌电流的负载,如灯具和电机。
- 适用于12V和24V直流应用中的微控制器兼容电源开关。
- 可替代电磁继电器和离散电路。
封装信息:采用SO-8封装,封装材料为模塑塑料,“绿色”成型化合物,UL阻燃分类等级94V-0。