物料型号：ZXTP2012G
器件简介：
- ZXTP2012G是一款60V PNP中功率低饱和晶体管，封装为SOT223。
- 特点包括高增益、低饱和电压、低等效导通电阻、符合RoHS标准的无铅表面处理，以及符合AEC-Q101标准的高可靠性。
引脚分配：
- SOT223封装的引脚分配在文档中以顶视图和器件原理图的形式展示。
参数特性：
- 绝对最大额定值包括集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、连续集电极电流（IC）、峰值脉冲电流（ICM）。
- 热特性包括功率耗散线性降额因子、结到环境的热阻、结到引线的热阻、工作和存储温度范围。
- ESD等级包括人体模型（HBM）和机器模型（MM）的静电放电。
功能详解：
- ZXTP2012G适用于DC-DC转换器、MOSFET栅极驱动器、充电电路、电源开关和电机控制等应用。
应用信息：
- 该器件被设计用于多种应用，包括但不限于DC-DC转换器、MOSFET栅极驱动器、充电电路、电源开关和电机控制。
封装信息：
- ZXTP2012G采用SOT223封装，封装材料为模塑塑料，符合UL 94V-0可燃性等级。
- 封装的详细尺寸和建议的焊盘布局在文档中提供。
电气特性：
- 包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压、直流电流增益、转换频率、输出电容和开关时间等。
典型电气特性：
- 提供了在不同集电极电流和基极电流比下的集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压和直流电流增益的典型值。
封装轮廓尺寸：
- 提供了SOT223封装的详细尺寸，包括最小值、最大值和典型值。
工商网监
湘ICP备2023018690号
