1N914

1N914

  • 厂商:

    BILIN(银河)

  • 封装:

  • 描述:

    1N914 - SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
1N914 数据手册
BL FEATURES GALAXY ELECTRICAL 1N914,1N914A,1N914B REVERSE VOLTAGE: 75 V CURRENT: 75 mA DO - 35 SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE ◇ Glass sealed envelope. (MSD) ◇ VRM=100V guaranteed ◇ High reliability MECHANICAL DATA ◇ Case: DO-35, glass case ◇ Polarity: Color band denotes cathode ◇ Weight: 0.004 ounces, 0.13 grams MAXIMUM RATINGS (Ratings at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.) 1N914,1N914A,1N914B Maximum DC reverse voltage Maximum recurrent peak reverse voltage Average forward rectified current half wave rectification with resistive load Forward surge current t
1N914
### 物料型号 - 型号: 1N914、1N914A、1N914B

### 器件简介 - 简介: 这些是小型信号开关二极管,具有反向电压75V和平均电流75mA的特性。

### 引脚分配 - 极性: 色环表示阴极。

### 参数特性 - 最大直流反向电压: 75V - 最大重复峰值反向电压(VRM): 100V - 半波整流平均电流(电阻负载): 75mA - 正向浪涌电流(t<1ms): 4.0A - 正向浪涌电流(t=1ms): 1.0A - 正向浪涌电流(t=1s): 0.5A - 功率耗散: 250mW - 结温: 175°C - 储存温度范围: -65°C至+175°C

### 功能详解 - 正向电压: 在1N914和1N914A中,I=10mA时为1.0V;在1N914B中,I=5mA时为0.62V,I=100mA时为1.0V。 - 漏电流: 在VR=20V时为25nA,在VR=75V时为5μA,在VR=20V且T=150°C时为50μA。 - 电容: 在VR=0V且f=1MHz时为4pF。 - 反向恢复时间: 在I=10mA,IR=10mA,R=100Ω时,IR=1mA时为8ns。 - 电压上升: 在50mA脉冲下,t=20ns时为2.5V。 - 热阻(结到环境): 500°C/W。

### 应用信息 - 这些二极管适用于小信号开关应用,特别是在需要快速开关和低功耗的场景中。

### 封装信息 - 封装: DO-35玻璃封装。
1N914 价格&库存

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