2SC2411

2SC2411

  • 厂商:

    BILIN(银河)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC2411 - Silicon Epitaxial Planar Transistor - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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2SC2411 数据手册
BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Production specification 2SC2411 Pb Power dissipation: PCM=200mW Lead-free APPLICATIONS NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor ORDERING INFORMATION Type No. 2SC2411 Marking CP/CQ/CR SOT-23 Package Code SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj,Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Dissipation Junction and Storage Temperature Value 40 32 5 500 200 -55~150 Units V V V mA mW ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Document number: BL/SSSTC097 Rev.A www.galaxycn.com 1 BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) Test conditions IC=100μA,IE=0 IC=1mA,IB=0 B Production specification 2SC2411 MIN 40 32 5 1 1 82 390 0.4 V TYP MAX UNIT V V V μA μA IE=100μA,IC=0 VCB=20V,IE=0 VEB=4V,IC=0 VCE=3V,IC=100mA IC=500mA, IB=50mA B Collector output capacitance Cob VCB=10V,IE=0 f=1MHz VCE=5V, IC= 20mA f=100MHZ 2.0 pF Transition frequency fT 250 MHz CLASSIFICATION Rank Range Marking OF hFE(1) P 82-180 CP Q 120-270 CQ R 180-390 CR TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Document number: BL/SSSTC097 Rev.A www.galaxycn.com 2 BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor Production specification 2SC2411 Document number: BL/SSSTC097 Rev.A www.galaxycn.com 3 BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package A E Production specification 2SC2411 SOT-23 SOT-23 Dim A B C D Min 2.85 1.25 0.37 0.35 1.85 0.02 2.35 Max 2.95 1.35 0.43 0.48 1.95 0.1 2.45 K B 1.0Typical D G J E G H H C J K 0.1Typical All Dimensions in mm SOLDERING FOOTPRINT Unit : mm PACKAGE Device 2SC2411 INFORMATION Package SOT-23 Shipping 3000/Tape&Reel Document number: BL/SSSTC097 Rev.A www.galaxycn.com 4
2SC2411
物料型号: - 型号:2SC2411 - 封装:SOT-23

器件简介: - 2SC2411是一种NPN硅外延平面晶体管,适用于一般高频放大和开关应用。

引脚分配: - 2SC2411的SOT-23封装具有三个引脚,分别是基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。

参数特性: - 最大额定值(@Ta=25°C): - 集电极-基极电压(VCBO):40V - 集电极-发射极电压(VCEO):32V - 发射极-基极电压(VEBO):5V - 集电极电流(Ic):500mA - 集电极耗散功率(Pc):200mW - 存储温度(Tj.Tstg):-55°C至150°C

功能详解: - 2SC2411的电性特征(@Ta=25°C): - 集基击穿电压(V(BR)CBO):40V - 集射击穿电压(V(BR)CEO):32V - 发基击穿电压(V(BR)EBO):5V - 集电极截止电流(IcBO):小于1μA - 发射极截止电流(EBO):小于1μA - DC电流增益(hFE):82至390 - 集电极-发射极饱和电压(VcE(sat)):小于0.4V - 集电极输出电容(Cob):2.0pF - 转换频率(fr):250MHz

应用信息: - 2SC2411适用于高频放大和开关应用。

封装信息: - 封装类型:SOT-23 - 封装尺寸:包括长度、宽度等参数,具体数值见PDF文档中的Package Outline部分。
2SC2411 价格&库存

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