2SC2412

厂商：
BILIN(银河)
封装：
描述：
2SC2412 - Silicon Epitaxial Planar Transistor - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Production specification 2SC2412 Pb Low Cob,Cob=2.0Pf Complementary to 2SA1037 Lead-free APPLICATIONS NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. 2SC2412 Marking BQ,BR,BS Package Code SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj,Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Dissipation Junction and Storage Temperature Value 60 50 7 150 200 -55~150 Units V V V mA mW ℃ Document number: BL/SSSTC020 Rev.A www.galaxycn.com 1 BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) Production specification 2SC2412 unless otherwise specified MIN 60 50 7 0.1 0.1 120 560 0.4 V TYP MAX UNIT V V V μA μA Test conditions IC=50μA,IE=0 IC=1μA,IB=0 B IE=50μA,IC=0 VCB=60V,IE=0 VEB=7V,IC=0 VCE=6V,IC=1mA IC=50mA, IB=5mA B Collector output capacitance Cob VCB=12V,IC=-2mA, f=100MHz VCE=12V, IC= 2mA f=100MHZONGz 2.0 pF Transition frequency fT 180 MHz CLASSIFICATION Rank Range Marking OF hFE(1) Q 120-270 BQ R 180-390 BR S 270-560 BS Document number: BL/SSSTC020 Rev.A www.galaxycn.com 2 BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor Production specification 2SC2412 TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Document number: BL/SSSTC020 Rev.A www.galaxycn.com 3 BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package A E Production specification 2SC2412 SOT-23 SOT-23 Dim A B C D Min 2.85 1.25 0.37 0.35 1.85 0.02 2.35 Max 2.95 1.35 0.43 0.48 1.95 0.1 2.45 K B 1.0Typical D G J E G H H C J K 0.1Typical All Dimensions in mm SOLDERING FOOTPRINT Unit : mm PACKAGE Device 2SC2412 INFORMATION Package SOT-23 Shipping 3000/Tape&Reel Document number: BL/SSSTC020 Rev.A www.galaxycn.com 4

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2SC2412

1. 物料型号： - 型号：2SC2412 - 封装：SOT-23

2. 器件简介： - 该器件为NPN硅外延平面晶体管，与2SA1037互补。

3. 引脚分配： - 集电极（Collector） - 基极（Base） - 发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：60V - 集电极-发射极电压（VCEO）：50V - 发射极-基极电压（VEBO）：7V - 集电极电流（Ic）：连续150mA - 集电极耗散功率（Pc）：200mW - 工作温度范围（Tj.Tstg）：-55°C至150°C

5. 功能详解： - 该晶体管具有低集电极截止电流（ICBO）和低发射极截止电流（IEBO），分别为0.1A。 - 直流电流增益（hFE）在VCE=6V，Ic=1mA时，范围为120至560。 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）在Ic=50mA，IB=5mA时，为0.4V。 - 集电极输出电容（Cob）在VcB=12V，Ic=-2mA，f=100MHz时，为2.0pF。 - 过渡频率（fr）在VcE=12V，Ic=2mA，f=100MHz时，为180MHz。

6. 应用信息： - 该晶体管适用于需要NPN硅外延平面晶体管的应用场合。

7. 封装信息： - 封装类型：SOT-23 - 尺寸参数：包括A、B、C、D、E、G、H、J、K等，具体数值请参考PDF文档中的图表。

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