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BAT43WS

BAT43WS

  • 厂商:

    BILIN(银河)

  • 封装:

  • 描述:

    BAT43WS - Schottky Barrier Diode - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BAT43WS 数据手册
BL Galaxy FEATURES Electrical Production specification Schottky Barrier Diode Low Forward drop voltage. Fast switching. Ultra-small surface mount package. Availadle in lead free version. BAT42WS/BAT43WS Pb Lead-free APPLICATIONS Schottky barrier detector and switching diodes. SOD-323 ORDERING INFORMATION Type No. BAT42WS BAT43WS Marking S7 S8 Package Code SOD-323 SOD-323 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Peak Repetitive Peak reverse voltage Working Peak DC Reverse Voltage RMS reverse voltage Forward continuous Current Repetitive peak Forward Current@t
BAT43WS
1. 物料型号: - BAT42WS:标记为"hq S7",封装为SOD-323。 - BAT43WS:标记为"S8",封装为SOD-323。

2. 器件简介: - 该文档描述的是肖特基势垒二极管BAT42WS/BAT43WS,具有低正向压降、快速开关和超小型表面贴装封装等特点,并且提供无铅版本。

3. 引脚分配: - 1脚:阴极(CATHODE)。 - 2脚:阳极(ANODE)。

4. 参数特性: - 最大额定值(@Ta=25°C): - 峰值重复峰值反向电压(VRRM):30V - 工作峰值直流反向电压(VRWM):30V - 有效值反向电压(VR(RMS)):21V - 正向连续电流(IFM):200mA - 重复峰值正向电流(IFRM):500mA - 峰值正向浪涌电流(IFSM):4.0A - 功率耗散(Pd):200mW - 热阻,结到环境(RejA):625°C/W - 结温(T):125°C - 存储温度范围(Tstg):-55°C至125°C

5. 功能详解: - 电气特性(@Ta=25°C): - 反向击穿电压(V(BR)R):在100μA时为30V。 - 正向电压(VF):在200mA时为1.0V,BAT42W在10mA时为0.4V,在50mA时为0.65V;BAT43W在2mA时为0.33V,在15mA时为0.45V。 - 反向电流(IR):在25V时为0.5A。 - 反向恢复时间(tr):在10mA时为5.0ns。 - 终端间电容(CT):在1.0V,1MHz时为10pF。

6. 应用信息: - 应用于肖特基势垒检测和开关二极管。

7. 封装信息: - 封装类型为SOD-323,是一种塑料表面贴装封装。 - 封装尺寸参数详细列出了最小值和最大值。
BAT43WS 价格&库存

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