BAT54AT

BAT54AT

  • 厂商:

    BILIN(银河)

  • 封装:

  • 描述:

    BAT54AT - Surface Mount Schottky Barrier Diode - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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  • 数据手册
  • 价格&库存
BAT54AT 数据手册
BL Galaxy Electrical Surface Mount Schottky Barrier Diode FEATURES Low forward voltage drop. Fast switching. Production specification BAT54T/AT/CT/ST Pb Lead-free BAT54T BAT54AT Ultra-small surface mount package. PN junction guard ring for transient and ESD protection. BAT54CT BAT54ST APPLICATIONS Schottky barrier diodes. SOT-523 ORDERING INFORMATION Type No. BAT54T BAT54AT BAT54CT BAT54ST Marking L1 L2 L3 L4 Package Code SOT-523 SOT-523 SOT-523 SOT-523 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol VRRM VRWM VR IF IFRM IFSM Pd RθJA Tj,Tstg Parameter Peak repetitive reverse voltage Working peak reverse voltage DC reverse voltage Forward continuous voltage Repetitive peak forward voltage Non-repetitive peak forward surge current @t
BAT54AT
1. 物料型号: - BAT54T - BAT54AT - BAT54CT - BAT54ST

2. 器件简介: - 表面贴装肖特基势垒二极管BAT54T/AT/CT/ST,具有低正向电压降、快速开关、无铅、超小型表面贴装封装等特点。

3. 引脚分配: - 阳极(ANODE)、阴极(CATHODE)

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM VRWM VR):30V - 正向连续电流(IF):200mA - 重复峰值正向电流(IFRM):300mA - 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM):600mA(时间小于1.0秒) - 耗散功率(Pd):150mW - 热阻(ReJA):833°C/W - 存储和结温(Tj.Tstg):-65~150°C

5. 功能详解: - 反向击穿电压(V(BR)R):在100μA的反向电流下,最小值为30V。 - 漏电流(IR):在25V的反向电压下,最大值为2.0μA。 - 正向电压(VF):在不同电流下(0.1mA、1.0mA、10mA、30mA、100mA)的正向电压分别为240mV、320mV、400mV、500mV、1000mV。 - 典型总电容(CT):在1.0V和1MHz频率下,最大值为10pF。 - 反向恢复时间(tr):在10mA的正向电流和反向电流下,最大值为5.0ns。

6. 应用信息: - 肖特基势垒二极管。

7. 封装信息: - 封装类型:SOT-523 - 封装尺寸:提供了详细的尺寸参数,包括A、B、C、D、G、H、J、K等尺寸的最小值和最大值。 - 包装:3000/卷带。
BAT54AT 价格&库存

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