BAV17

厂商：
BILIN(银河)
封装：
描述：
BAV17 - SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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BAV17 数据手册

BL FEATURES GALAXY ELECTRICAL BAV17---BAV21 VOLTAGE RANGE: 20-200 V CURRENT: 250 mA SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE Silicon epitaxial planar diode H igh speed switching diode 5 00 m W power dissipation DO - 35(GLASS) MECHANICAL DATA C ase: DO-35,glass case Polarity: Color band denotes cathode Weight: 0.004 ounces, 0.13 gram s MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS R atings at ２５ a m bient temperature unless otherwise specified. MAXIMUM RATINGS Reverse voltage Peak reverse voltage Average forw ard rectified current Half w ave rectification w ith resist.load @TA =25 and f 50Hz Forw ard surge current @ t

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BAV17

1. 物料型号：BAV17、BAV18、BAV19、BAV20、BAV21。

2. 器件简介：这些是小信号开关二极管，采用硅外延平面结构，具有高速开关特性，功率耗散为500mW。

3. 引脚分配：这些二极管采用DO-35玻璃封装，极性通过色环表示阴极。

4. 参数特性： - 电压范围：20-200V - 电流：250mA - 最大反向电压：25V（BAV17）、20V（BAV18）、60V（BAV19）、50V（BAV20）、250V（BAV21） - 平均正向整流电流：100mA - 峰值反向电压：@T=25°C和f>50Hz时，分别为120V、100V、200V、150V、250V - 正向涌流电流：@T=25°C时，500mA - 功率耗散：@T=25°C时，1.0 mW - 热阻（结到环境）：350K/℃

5. 功能详解： - 正向电压@100mA：1.0V - 反向电压下的漏电流@T=25°C：100nA - 反向电压下的漏电流@T=100°C：15μA - 电容@V=VR=0V，f=1MHz：1.5pF - 反向恢复时间：从30mA到30mA时为50ns，从3mA到3mA时为1μs

6. 应用信息：适用于高速开关和小信号整流应用。

7. 封装信息：采用DO-35玻璃封装，重量为0.004盎司或0.13克。

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