BC848A

厂商：
BILIN(银河)
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BC848A - NPN general purpose Transistor - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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BL Galaxy Electrical NPN general purpose Transistor FEATURES High current gain. Excellent hFE linearity . Low noise between 30Hz and 15kHz. For AF input stages and driver applications. Production specification BC846/847/848 Pb Lead-free APPLICATIONS General purpose switching and amplification. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. BC846A/B BC847A/B/C BC848A/B/C Marking 1A/1B 1E/1F/1G 1J/1K/1L Package Code SOT-23 SOT-23 SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol VCBO Collector-Emitter Voltage VCEO Emitter-Base Voltage VEBO IC PC Tj,Tstg Collector Current -Continuous Collector Dissipation Junction and Storage Temperature Parameter Collector-Base Voltage BC846 BC847 BC848 BC846 BC847 BC848 BC846 BC847 BC848 Value 80 50 30 65 45 30 6 6 5 0.1 200 -65~150 Units V V V A mW ℃ Document number: BL/SSSTC043 Rev.A www.galaxycn.com 1 BL Galaxy Electrical NPN general purpose Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ Parameter Collector-base breakdown voltage BC846 BC847 BC848 BC846 BC847 BC848 BC846 BC847 BC848 BC846 BC847 BC848 BC846 BC847 BC848 Production specification BC846/847/848 unless otherwise specified MIN 80 50 30 65 45 30 6 6 5 0.1 TYP MAX UNIT Symbol Test conditions V(BR)CBO IC=10μA,IE=0 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 B V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA,IC=0 VCB=70V,IE=0 VCB=50V,IE=0 VCB=30V,IE=0 VCE=60V,IB=0 VCE=45V,IB=0 VCE=30V,IB=0 B B B V Collector cut-off current ICBO μA Collector cut-off current ICEO 0.1 μA Emitter cut-off current DC current gain BC846A,847A,848A BC846B,847B,848B BC846C,847C,848C IEBO VEB=5V,IC=0 110 200 420 0.1 220 450 800 0.5 1.1 μA hFE VCE=5V,IC=2mA Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage VCE(sat) VBE(sat) IC=100mA, IB=5mA B V V IC=100mA, IB=5mA B Transition frequency fT VCE=5V, IC= 10mA 100 f=100MHz MHz Document number: BL/SSSTC043 Rev.A www.galaxycn.com 2 BL Galaxy Electrical NPN general purpose Transistor Production specification BC846/847/848 TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Document number: BL/SSSTC043 Rev.A www.galaxycn.com 3 BL Galaxy Electrical NPN general purpose Transistor PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package A E Production specification BC846/847/848 SOT-23 SOT-23 Dim A B C D Min 2.85 1.25 0.37 0.35 1.85 0.02 2.35 Max 2.95 1.35 0.43 0.48 1.95 0.1 2.45 K B 1.0Typical D G J E G H H C J K 0.1Typical All Dimensions in mm SOLDERING FOOTPRINT Unit : mm PACKAGE Device BC846/847/848 INFORMATION Package SOT-23 Shipping 3000/Tape&Reel Document number: BL/SSSTC043 Rev.A www.galaxycn.com 4

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BC848A

### 物料型号 - 型号：BC846/847/848 - 封装：SOT-23

### 器件简介 - 类型：NPN通用晶体管 - 特点：高电流增益、无铅、优异的hFE线性、低噪音（30Hz至15kHz），适用于音频输入级和驱动应用。

### 引脚分配 - Collector Emitter：集电极和发射极

### 参数特性 - 最大额定值（@Ta=25°C）： - VCBO（集电极-基极电压）：BC846为80V，BC848为30V - VCEO（集电极-发射极电压）：BC846为65V，BC847为45V - VEBO（发射极-基极电压）：BC846为6V，BC847为6V，BC848为5V - Ic（集电极电流-连续）：0.1A - Pc（集电极耗散）：200mW - Tj.Tstg（结和存储温度）：-65~150°C

### 功能详解 - 电气特性（@Ta=25°C）： - V(BR)CBO（集电极-基极击穿电压）：BC846/BC847/BC848分别为Ic=10mA, Ib=0时的电压 - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：BC846/BC847/BC848分别为65V/45V/30V - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：BC846/BC847/BC848分别为6V/6V/5V - ICBO（集电极截止电流）：VcB=30V, IE=0时，最大0.1A - ICEO（发射极截止电流）：VcE=60V, Ib=0时，最大0.1A - hFE（直流电流增益）：BC846A, 847A, 848A分别为110, 200, 420；BC846B, 847B, 848B分别为220, 450, 800 - VCE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：Ic=100mA, Ib=5mA时，最大0.5V - VBE(sat)（基极-发射极饱和电压）：Ic=100mA, Ib=5mA时，最大1.1V - fT（过渡频率）：VcE=5V, Ic=10mA时，100MHz

### 应用信息 - 应用：通用开关和放大

### 封装信息 - SOT-23：塑料表面贴装包 - 尺寸：详细尺寸参数从A到K不等，具体数值请参考PDF文档中的图表。

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