BC857C

厂商：
BILIN(银河)
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描述：
BC857C - NPN general purpose Transistor - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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BC857C 数据手册

BL Galaxy Electrical NPN general purpose Transistor FEATURES Low current.(max.100mA) Low voltage.(max.65v) Production specification BC856/857/858 Pb Lead-free APPLICATIONS General purpose switching and amplification. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. BC856A/B BC857A/B/C BC858A/B/C Marking 3A/3B 3E/3F/3G 3J/3K/3L Package Code SOT-23 SOT-23 SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol VCBO Collector-Emitter Voltage VCEO VEBO IC PC Tj,Tstg Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Dissipation Junction and Storage Temperature Parameter Collector-Base Voltage BC856 BC857 BC858 BC856 BC857 BC858 Value -80 -50 -30 -65 -45 -30 -5 -0.1 250 -65~150 Units V V V A mW ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Document number: BL/SSSTC044 Rev.A www.galaxycn.com 1 BL Galaxy Electrical NPN general purpose Transistor Parameter Collector-base breakdown voltage Symbol Test conditions BC856 BC857 V(BR)CBO IC=-10μA,IE=0 BC858 BC856 BC857 BC858 V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0 B Production specification BC856/857/858 MIN TYP MAX -80 -50 -30 -65 -45 -30 -5 -1 -15 -0.1 125 220 420 250 475 800 -0.65 -0.3 -1.1 V V UNIT V Collector-emitter breakdown voltage V V nA μA Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain BC856A,857A,858A BC856B,857B,858B BC857C,858C V(BR)EBO IE=-1μA,IC=0 ICBO IEBO VCB=-30V,IE=0 VEB=-5V,IC=0 hFE VCE=-5V,IC=-2mA IC=-100mA, IB=-5mA IC=-10mA, IB=-0.5mA B B Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage VCE(sat) VBE(sat) IC=-100mA, IB=-5mA B collector capacitance Cc VCB=-10V,IE=Ie=0 f=1MHz VCE=-5V, IC= -10mA f=100MHz 4.5 pF Transition frequency fT 100 MHz TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Document number: BL/SSSTC044 Rev.A www.galaxycn.com 2 BL Galaxy Electrical NPN general purpose Transistor Production specification BC856/857/858 Document number: BL/SSSTC044 Rev.A www.galaxycn.com 3 BL Galaxy Electrical NPN general purpose Transistor PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package A E Production specification BC856/857/858 SOT-23 SOT-23 Dim A B C D Min 2.85 1.25 0.37 0.35 1.85 0.02 2.35 Max 2.95 1.35 0.43 0.48 1.95 0.1 2.45 K B 1.0Typical D G J E G H H C J K 0.1Typical All Dimensions in mm SOLDERING FOOTPRINT Unit : mm PACKAGE Device BC856/857/858 INFORMATION Package SOT-23 Shipping 3000/Tape&Reel Document number: BL/SSSTC044 Rev.A www.galaxycn.com 4

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BC857C

1. 物料型号： - BC856A/B：型号编号，SOT-23封装。 - BC857A/B/C：型号编号，SOT-23封装。 - BC858A/B/C：型号编号，SOT-23封装。

2. 器件简介： - 这些是NPN型通用晶体管，具有低电压（最大65V）和无铅特性，适用于通用开关和放大应用。

3. 引脚分配： - COLLECTOR（集电极）：3号引脚。 - BASE（基极）：2号引脚。 - EMITTER（发射极）：1号引脚。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：BC856为-80V，BC857为-50V，BC858为-30V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：BC856为-65V，BC857为-45V，BC858为-30V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V。 - 集电极电流（Ic）：-0.1A。 - 集电极耗散功率（Pc）：250mW。 - 结温/储存温度（Tj.Tstg）：-65~150°C。

5. 功能详解： - 这些晶体管主要用于通用开关和放大应用，具有不同的电流增益（hFE）等级，分别为BC856A/857A/858A的125/220/420，BC856B/857B/858B的250/475/800，以及BC857C/858C的475/800。

6. 应用信息： - 适用于通用开关和放大。

7. 封装信息： - 采用SOT-23塑料表面贴装封装，每卷3000个。

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