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BYV26EZ

BYV26EZ

  • 厂商:

    BILIN(银河)

  • 封装:

  • 描述:

    BYV26EZ - SUPER FAST RECTIFIERS - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

  • 详情介绍
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  • 价格&库存
BYV26EZ 数据手册
BL FEATURES GALAXY ELECTRICAL BYV26A(Z) - - - BYV26E(Z) VOLTAGE RANGE: 200 --- 1000 V CURRENT: 1.0 A SUPER FAST RECTIFIERS Low cost Diffused junction Low leakage Low forward voltage drop High current capability Easily cleaned with alcohol,Isopropanol and similar solvents DO - 41 MECHANICAL DATA Case: JEDEC DO-41,molded plastic Terminals: Axial lead ,solderable per MIL- STD-202,Method 208 Polarity: Color band denotes cathode Weight: 0.012 ounces,0.34 grams Mounting position: Any MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Single phase,half wave,50 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%. BYV26A Maximum recurrent peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forw ard rectified current 9.5 mm lead length, @TA=75 BYV26B BYV26C BYV26D 400 280 400 600 420 600 1.0 800 560 800 BYV26E 1000 700 1000 UNITS V V V A VRRM VRMS VDC IF(AV) 200 140 200 Peak forw ard surge current 10ms single half-sine-w ave superimposed on rated load @TJ=125 IFSM 30.0 A Maximum instantaneous forw ard voltage @ 1.0A Maximum reverse current @TA=25 VF IR trr CJ RθJA TJ TSTG 30 45 2.5 5.0 150.0 75 40 100 - 55 ----- + 150 - 55 ----- + 150 V A ns pF /W at rated DC blocking voltage @TA=100 Maximum reverse recovery time (Note1) Typical junction capacitance Typical thermal resistance (Note2) (Note3) Operating junction temperature range Storage temperature range NOTE: 1. Measured with IF=0.5A, I R=1A, Irr=0.25A. 2. Measured at 1MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC. 3. Thermal resistance f rom junction to ambient. www.galaxycn.com Document Number 0264013 BLGALAXY ELECTRICAL 1. RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BYV26A (Z)--- BYV26E(Z) FIG.1 -- FORWARD DERATING CURVE AVERAGE FORWARD CURRENT,AMPERES INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT AMPERES FIG.2 -- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC 1.0 2.0 0.8 0.6 1.0 0.4 S in g le P h a s e H a lf W a v e 5 0 H Z R e s is tiv e o r In d u c tiv e L o a d 0 .3 7 5 " ( 9 .5 m m ) L e a d L e n g th 0.1 0.2 TJ =25 Pulse W idth=300µ s 0.01 0 1 .0 2 .0 3 .0 4 .0 0 0 25 50 75 100 125 150 175 AMBIENT TEMPERATURE, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS FIG.3 --PEAK FORWARD SURGE CURRENT PEAK FORWARD SURGE CURRENT AMPERES JUNCTION CAPACITANCE, pF FIG.4 -- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE 100 50 40 40 20 TJ =25 f=1.0MHZ 30 10 20 4 2 1 0.1 0.2 0.4 10 10ms Single Half Sine-Wave 0 1 2 4 10 20 40 10 0 1 2 4 10 20 40 100 NUMBER OF CYCLES AT 50Hz REVERSE VOLTAGE,VOLTS www.galaxycn.com Document Number 0264013 BLGALAXY ELECTRICAL 2.
BYV26EZ
1. 物料型号: - 型号范围:BYV26AZ至BYV26EZ。

2. 器件简介: - 这些器件是超级快速整流器,具有低成本、低漏电流、低正向压降和高电流能力的特点。它们可以很容易地用酒精、丙酮和类似的溶剂清洗。

3. 引脚分配: - 根据JEDEC DO-41标准,封装为模塑塑料,引脚为航空铅,可按MIL-STD-202.Method 208焊接。极性通过色带标识阴极。

4. 参数特性: - 电压范围:200V至1000V,电流:1.0A。 - 最大重复峰值反向电压(VRRM)从200V至1000V不等。 - 最大RMS电压(VRMS)从140V至700V不等。 - 最大直流阻断电压(VDc)从200V至1000V不等。 - 最大平均整流电流(IF(AV))为1.0A。 - 峰值正向浪涌电流(IFSM)为30.0A。 - 最大瞬时正向电压(VF)为2.5V。 - 最大反向电流(IR)为5.0μA至150.0μA不等。 - 最大反向恢复时间(tr)为30ns至75ns不等。 - 典型结电容(CJ)为45pF至40pF不等。 - 典型热阻(ReJA)为100°C/W。

5. 功能详解: - 这些器件适用于单相、半波、50Hz的电阻性或感性负载。对于电容性负载,需要降低20%的额定值。

6. 应用信息: - 适用于需要高速度整流和高电流能力的应用场合。

7. 封装信息: - 封装类型为JEDEC DO-41,模塑塑料封装,重量约为0.012盎司或0.34克,可以任意位置安装。
BYV26EZ 价格&库存

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