GZF7V5C

GZF7V5C

  • 厂商:

    BILIN(银河)

  • 封装:

  • 描述:

    GZF7V5C - ZENER DIODES - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
GZF7V5C 数据手册
BL GALAXY ELECTRICAL VZ : GZF3V6C---GZF91C 3.6 -- 91 V 800 mW POWER DISSIPATION: ZENER DIODES FEATURES ◇ Silicon planar power zener diodes. ◇ Low leakage current ◇ Low profile surface mount package. ◇ High temperature soldering: 260℃/10 sec.at terminals. SOD-123FL Cathode Band Top View 1.8 0.1 1.0 0.2 5° 2.8 0.1 0.05 0.30 0.98 0.1 MECHANICAL DATA 5 0.60 0.25 ◇ Case:JEDEC SOD-123FL,molded plastic ◇ Terminals: Solderable per MILSTD-202,Method 208 ◇ Polarity: Color band denotes cathods end ◇ Weight: 0.006 ounces, 0.02 grams ◇ Mounting position: any 3.7 0.2 Maximum Ratings and Thermal Characteristics Parameter Power dissipation at TA=25℃ (Note 1) Forward voltage @IF=200mA Maximum thermal resistance junction to ambient Junction temperature Storage temperature range 1) (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Ptot VF RθJA TJ TSTG Value 800 1.2 180 -55 to +150 -55 to +150 Unit mW V K/W ℃ ℃ www.galaxycn.com Mounted on epoxy glass PCB with 3×3mm,Cu pads(≥40µm thick) Document Number 0284036 BLGALAXY ELECTRICAL 1. ELECTRICAL CHARACTERISTICS Zener Voltage Range(1) VZ@IZT V Min GZF3V6C GZF3V9C GZF4V3C GZF4V7C GZF5V1C GZF5V6C GZF6V2C GZF6V8C GZF7V5C GZF8V2C GZF9V1C GZF10C GZF11C GZF12C GZF13C GZF15C GZF16C GZF18C GZF20C GZF22C GZF24C GZF27C GZF30C GZF33C GZF36C GZF39C GZF43C GZF47C GZF51C GZF56C GZF62C GZF68C GZF75C GZF82C GZF91C 1)Pulse test:tp ≤5ms W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WW WX WY WZ X1 X2 X3 X4 X5 X6 X7 3.4 3.7 4.0 4.4 4.8 5.2 5.8 6.4 7.0 7.7 8.5 9.4 10.4 11.4 12.4 13.8 15.3 16.8 18.8 20.8 22.8 25.1 28 31 34 37 40 44 48 52 58 64 70 77 85 Type Device Marking Code Test Current IZT mA Differential Resistance rdif@IZT Ω Typ Max 8.0 8.0 7.0 7.0 6.0 4.0 3.0 3.0 2.0 2.0 4.0 4.0 7.0 7.0 10 10 15 15 15 15 15 15 15 15 40 40 45 45 60 60 80 80 100 100 200 Temperature Coeffizient αVZ@IZ %/℃ Min -0.14 -0.14 -0.12 -0.1 -0.08 -0.04 -0.01 0 0 0.03 0.03 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.07 0.07 0.07 0.07 0.08 0.08 0.08 0.08 0.09 Maximum Reverse Leakage Current IR µA Max 100 50 25 10 5.0 10 5.0 10 50 10 10 7.0 4.0 3.0 2.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 2.0 3.0 3.0 3.0 5.0 7.5 8.2 9 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 VR V Max 3.8 4.1 4.6 5.0 5.4 6.0 6.6 7.2 7.9 8.7 9.6 10.6 11.6 12.7 14.1 15.6 17.1 19.1 21.2 23.3 25.6 28.9 32 35 38 41 46 50 54 60 66 72 79 87 96 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 50 50 50 50 50 50 25 25 25 25 25 25 25 25 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5.0 Max -0.04 -0.04 -0.02 0 0.2 0.04 0.06 0.07 0.07 0.08 0.08 0.09 0.1 0.1 0.1 0.1 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.12 0.12 0.12 0.12 0.13 0.13 0.13 0.13 0.13 4.0 4.0 4.0 3.0 3.0 2.0 2.0 1.0 1.0 1.0 2.0 2.0 4.0 4.0 5.0 5.0 6.0 6.0 6.0 6.0 7.0 7.0 8.0 8.0 21 21 24 24 25 25 25 25 30 30 60 www.galaxycn.com Document Number 0284036 BLGALAXY ELECTRICAL 2. RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES FIG.1 -- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC GZF3V6C - - - GZF91C 10 mA 3 10 2 10 IF 1 10 10 -1 TJ = 100 °C TJ = 25 °C -2 10 -3 10 10 -4 -5 0 0.2 0.4 0.6 VF 0.8 1V FIG.2 -- ADMISSIBLE POWER DISSIPATION VERSUS AMBIENT TEMPERATURE mW 800 P tot 600 400 200 0 100 Tamb 200 °C www.galaxycn.com Document Number 0284036 BLGALAXY ELECTRICAL 3.
GZF7V5C
### 物料型号 - VZ: 3.6 -- 91 V - POWER DISSIPATION: 800 mW - GZF3V6C---GZF91C

### 器件简介 - 这些是硅平面功率齐纳二极管。 - 特点包括低漏电流、低轮廓表面安装封装、高温焊接能力(260℃/10秒在端子处)。

### 引脚分配 - 根据机械数据,器件符合JEDEC SOD-123FL标准,采用模塑塑料封装。 - 极性通过色带来表示阴极端。

### 参数特性 - 最大额定值和热特性: - 功率耗散在TA=25°C时(注1):Plot mW - 正向电压@IF=200mA:VF V - 最大热阻(结到环境):ReJA K/W - 结温:TJ °C - 存储温度范围:TSTG C

- 电气特性: - 包括齐纳电压范围、测试电流、差分电阻、温度系数、最大反向漏电流等参数。

### 功能详解 - 这些齐纳二极管用于稳定电压,防止电压过高造成的损害。 - 它们具有低漏电流和低轮廓表面安装的特性,适合现代电子设备。

### 应用信息 - 这些器件通常用于电源、电压调节和保护电路中。

### 封装信息 - 封装类型为SOD-123FL,是一种小型的表面贴装封装。 - 重量为0.006盎司或0.02克。
GZF7V5C 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“GZF7V5C”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货