1. 物料型号:
- VZ: 3.6 -- 91 V
- POWER DISSIPATION: 800 mW
- 型号包括:GZF3V6C---GZF91C
2. 器件简介:
- 这些是硅平面功率齐纳二极管。
- 特点包括低漏电流、低轮廓表面安装封装、高温焊接能力(260℃/10秒在端子处)。
3. 引脚分配:
- 根据机械数据,器件符合JEDEC SOD-123FL标准,采用模塑塑料封装。
- 极性由色带来表示阴极端。
4. 参数特性:
- 功率耗散在25°C时(Note 1):Plot mW
- 正向电压@IF=200mA:VF V
- 最大热阻(结到环境):ReJA K/W
- 结温:TJ °C
- 存储温度范围:TSTG C
5. 功能详解:
- 电气特性表中列出了不同型号的齐纳电压范围、测试电流、差分电阻、温度系数和最大反向漏电流。
6. 应用信息:
- 这些齐纳二极管被安装在环氧玻璃PCB上,铜垫尺寸为3×3mm,厚度≥40µm。
7. 封装信息:
- 封装类型为SOD-123FL,是一种小尺寸的表面贴装封装。