LL101C

LL101C

  • 厂商:

    BILIN(银河)

  • 封装:

  • 描述:

    LL101C - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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LL101C 数据手册
BL FEATURES GALAXY ELECTRICAL LL101A - - - LL101C VOLTAGE RANGE: 60 - 40 V POWER DIDDIPATION: 400 mW SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER MINI-MELF ◇ For general purpose applications ◇ The low forward voltage drop and fast switching marking it ideal for protection of MOS devices,steering, biasing and couping diodes for fast switching and low logic level applications. ◇ Integrated protection ring against static discharge ◇ Low leakage current 3.4 +0.3 -0.1 φ .5±0.1 1 0.4±0.1 Cathode indification MECHANICAL DATA ◇ Case: MINI-MELF ◇ Polarity: Color band denotes cathode ◇ Weight: Approx 0.031 grams MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 ℃,ambient temperature unless otherwise specified. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AND THERMAL RESISTANCE LL101A Reverse voltage Repetitive peak reverse voltage Forward current Maximum single cycle surge 10 µs square wave Power dissipation Thermal resistance junction to ambient Junction temperature Storage temperature range 1) LL101B 50 50 30 2.0 400 3201) 125 - 55 --- + 150 LL101C 40 40 Unit V V mA A mW K/W ℃ ℃ VR VRRM I(AV) IFSM Ptot RθJA Tj TSTG 60 60 Device mounted on PC board 50mm×50mm×1.6mm . www.galaxycn.com Document Number 0265014 BLGALAXY ELECTRICAL 1. ELECTRICAL CHARACTERISTICS Parameter Forward voltage IF=1mA IF=1mA IF=1mA IF=15mA IF=15mA IF=15mA Reverse current VR=50V VR=40V VR=30V Breakdown voltage IR=10µA Test Conditions LL101A LL101B LL101C LL101A LL101B LL101C LL101A LL101B LL101C LL101A LL101B LL101C Symbol Min - Typ - Max 0.41 0.40 0.39 1.00 0.95 0.90 200 200 200 2.0 2.1 2.2 1.0 Unit VF - V IR 60 nA V(BR) 50 40 - V Diode capacitance VR=0,f=1MHZ LL101A LL101B LL101C CD - pF Reverse recovery time IF=IR=5mA,recover to 0.1i R trr - ns www.galaxycn.com Document Number 0265014 BLGALAXY ELECTRICAL 2. RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES FIG.1 -- TYP.IF VS FOR PRIMARY CONDUCTION THROUGH THE SCHOTTKY BARRIES LL101A - - - LL101C FIG.2 -- TYP.IF OF COMBINATION SCHOTTKY BARRIER AND PN JUNCTION GUARD RING FIG.3 -- TYPICAL VARIATION OF REVERSE CURRENT AT VARIOUS TEMPERATURES FIG.4 -- TYPICAL CAPACITANCE CURVE AS A FUNCTION OF REVERSE VOLTAGE www.galaxycn.com Document Number 0265014 BLGALAXY ELECTRICAL 3.
LL101C
物料型号: - LL101A - LL101B - LL101C

器件简介: 这些是肖特基势垒整流器,用于一般用途。它们具有低正向电压降和快速开关特性,非常适合保护MOS设备、转向、偏置和耦合二极管,适用于快速开关和低逻辑电平应用。此外,它们还集成了防静电放电保护环,并具有低漏电流。

引脚分配: - 采用MINI-MELF封装,色环表示阴极。

参数特性: - 绝对最大额定值和热阻: - 反向电压(VR):LL101A和LL101B为50V,LL101C为40V。 - 重复峰值反向电压(VRRM):LL101A和LL101B为50V,LL101C为40V。 - 正向电流(I(AV)):最大30mA。 - 最大单周期冲击电流(IFSM):2.0A。 - 总功耗(Ptot):400mW。 - 热阻(RθJA):LL101A为3201),LL101B和LL101C为125K/W。 - 结温(Tj)和储存温度范围(TSTG):-55℃至+150℃。

功能详解: - 正向电压(VF):在1mA电流下,LL101A为0.41V,LL101B为0.40V,LL101C为0.39V。 - 反向电流(IR):在50V下,LL101A为200nA;在40V下,LL101B为200nA;在30V下,LL101C为200nA。 - 击穿电压(V(BR)):LL101A为60V,LL101B为50V,LL101C为40V。 - 二极管电容(CD):在0V反向电压和1MHz频率下,LL101A、LL101B和LL101C均为2.0pF左右。 - 反向恢复时间(t):在5mA电流下恢复到0.1iR,约为1.0ns。

应用信息: 适用于需要快速开关和低逻辑电平的应用,如保护MOS设备、转向、偏置和耦合二极管。

封装信息: - 采用MINI-MELF封装,具体尺寸和重量未在文档中详细说明,但重量约为0.031克。
LL101C 价格&库存

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