LL5712

LL5712

  • 厂商:

    BILIN(银河)

  • 封装:

  • 描述:

    LL5712 - SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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  • 数据手册
  • 价格&库存
LL5712 数据手册
BL FEATURES GALAXY ELECTRICAL LL5712 VOLTAGE RANGE: 20 V POWER DISSIPATION: 430 mW SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES Metal-to-silicon junction High breakdown voltage Low turn-on voltage Ultrafast switching speed Prmarly intended for high level UHF/VHF detection and pulse applications with broad dynamic range MINI-MELF Cathode indification φ 1.5± 0.1 3.4 +0.3 -0.1 0.4± 0.1 MECHANICAL DATA Case:JEDEC MINI-MELF,glass case Polarity: Color band denotes cathode end Weight: Approx 0.031 grams Dimensions in millimeter ABSOLUTE RATINGS(LIMITING VALUES) Symbols Peak reverse voltage Pow er dissipation (Infinite Heat Sink) Forw ard continuous current Junction and storage temperature range Maximum lead temperature for soldering during 10S at 4mm from case Value 20.0 430.0 35.0 c-55 ---+ 150 230 UNITS V mW mA VRRM Ptot IFSM TJ/TSTG TL ELECTRICAL CHARACTERISTICS Symbols Reverse breakdow n voltage Leakage current Forw ard voltage drop Test pulse: tp 300 s Junction capacitance Thermal resistance @ IR=10 A Min. 20.0 Typ. Max. UNITS V VR IR VF CJ RθJA @ VR=16V @
LL5712
1. 物料型号: - 型号为LL5712,是一款小型信号肖特基二极管。

2. 器件简介: - LL5712具有金属到硅的结、高击穿电压、低导通电压、超快开关速度等特点,主要用于UHF/VHF的高级别检测。

3. 引脚分配: - 根据机械数据,LL5712采用JEDEC MINI-MELF玻璃封装,色环表示阴极端。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包括:峰值反向电压20.0V、功率耗散430mW、正向连续电流35.0mA、结温/存储温度范围-55℃至+150℃、焊接时最大引脚温度230℃。 - 电气特性包括:反向击穿电压20.0V、漏电流150nA(在16V反向电压下)、正向电压降0.41V(在1mA正向电流下)、正向电压降1.0V(在35mA测试脉冲下)、结电容2pF(在0V反向电压和1MHz频率下)、热阻400K/W。

5. 功能详解: - LL5712主要应用于需要高动态范围的超快速开关和脉冲应用,以及高级别UHF/VHF检测。

6. 应用信息: - 该型号适用于需要高击穿电压和低导通电压的场合,特别是在高频应用中。

7. 封装信息: - 封装类型为JEDEC MINI-MELF玻璃封装,具体尺寸和重量在文档中有详细描述。
LL5712 价格&库存

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