MMBT5550

厂商：
BILIN(银河)
封装：
描述：
MMBT5550 - NPN General Purpose Amplifier - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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BL Galaxy Electrical NPN General Purpose Amplifier FEATURES Epitaxial planar die construction. Ultra-small surface mount package. Production specification MMBT5550 Pb Lead-free APPLICATIONS High voltage transistors. General purpose application. ORDERING INFORMATION Type No. MMBT5550 Marking M1F SOT-23 Package Code SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj,Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Dissipation Junction and Storage Temperature Value 160 140 6 600 225 -55to+150 Unit V V V mA mW ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Document number: BL/SSSTC117 Rev.A www.galaxycn.com 1 BL Galaxy Electrical NPN General Purpose Amplifier Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE Test conditions IC=100μA IE=0 IC=1.0mA IB=0 B Production specification MMBT5550 MIN 160 140 6 100 50 60 60 20 250 0.15 0.25 1.0 1.2 V V MAX UNIT V V V nA nA IE=10μA IC=0 VCB=100V IE=0 VEB=4V IE=0 VCE=5.0V IC=1.0mA VCE=5.0V IC=10mA VCE=5.0V IC=50mA IC=10mA IB=1.0mA IC=50mA IB=5.0mA B B Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage VCE(sat) VBE(sat) IC=10mA IB=1.0mA IC=50mA IB=5.0mA B B TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Document number: BL/SSSTC117 Rev.A www.galaxycn.com 2 BL Galaxy Electrical NPN General Purpose Amplifier Production specification MMBT5550 PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package A E SOT-23 SOT-23 Dim A B C D Min 2.85 1.25 0.37 0.35 1.85 0.02 2.35 Max 2.95 1.35 0.43 0.48 1.95 0.1 2.45 K B 1.0Typical D G J E G H H C J K 0.1Typical All Dimensions in mm Document number: BL/SSSTC117 Rev.A www.galaxycn.com 3 BL Galaxy Electrical NPN General Purpose Amplifier SOLDERING FOOTPRINT Production specification MMBT5550 Unit：mm PACKAGE Device MMBT5550 INFORMATION Package SOT-23 Shipping 3000/Tape&Reel Document number: BL/SSSTC117 Rev.A www.galaxycn.com 4

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MMBT5550

1. 物料型号： - 型号：MMBT5550 - 封装：SOT-23

2. 器件简介： - MMBT5550是一款NPN型通用放大器，采用外延平面工艺制造，具有超小型表面贴装封装。

3. 引脚分配： - COLLECTOR（集电极） - BASE（基极） - EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 最大额定值（@Ta=25℃）： - 集电极-基极电压（VCBO）：160V - 集电极-发射极电压（VCEO）：140V - 发射极-基极电压（VEBO）：6V - 集电极电流（Ic）：600mA - 集电极耗散功率（Pc）：225mW - 存储和结温（TiTstg）：-55至+150°C

5. 功能详解： - 该器件为高电压晶体管，适用于一般用途的应用。

6. 应用信息： - 适用于高压晶体管和一般用途的应用。

7. 封装信息： - 塑料表面贴装封装SOT-23。 - 封装尺寸数据（单位：mm）： - A：2.85至2.95 - B：1.25至1.35 - C：1.0（典型值） - D：0.37至0.43 - E：0.35至0.48 - G：1.85至1.95 - H：0.02至0.1 - J：0.1（典型值） - K：2.35至2.45

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