MMST4401

厂商：
BILIN(银河)
封装：
描述：
MMST4401 - NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

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BL Galaxy Electrical NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Power dissipation.(PC=0.2W) Production specification MMST4401 Pb Lead-free APPLICATIONS Audio frequency general purpose amplifier. ORDERING INFORMATION Type No. MMST4401 Marking K3X SOT-323 Package Code SOT-323 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj,Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Dissipation Junction and Storage Temperature Value 60 40 6 600 200 -55~150 Units V V V mA mW ℃ Document number: BL/SSSTF053 Rev.A www.galaxycn.com 1 BL Galaxy Electrical NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Production specification MMST4401 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance Delay time Rise time Storage time Fall time Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT Cob td tr ts tf Test conditions IC=100μA,IE=0 IC=1mA,IB=0 IE=100μA,IC=0 VCB=35V,IE=0 VCE=35V,IB=0 VEB=5V,IC=0 VCE=1V,IC=150mA VCE=1V,IC=500mA IC=150mA,IB=15mA IC=150mA,IB=15mA VCE=10V, IE=20mA f=100MHz VCB=10V, IE=0,f=1MHz 250 6.5 15 20 225 30 100 40 MIN 60 40 6 0.1 0.1 0.1 300 0.4 0.95 V V MHz pF nS nS nS nS MAX UNIT V V V μA μA μA VCC=30V,VBE=2V, IC=150mA,IB=15mA VCC=30V,IC=150mA, IB1=IB2=15mA Document number: BL/SSSTF053 Rev.A www.galaxycn.com 2 BL Galaxy Electrical NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package Production specification MMST4401 SOT-323 SOT-323 Dim A B C D E G H J K Min 1.8 1.15 0.15 0.25 1.2 0.02 2.1 Max 2.2 1.35 0.35 0.40 1.4 0.1 2.3 1.0Typical 0.1Typical All Dimensions in mm PACKAGE INFORMATION Device MMST4401 Package SOT-323 Shipping 3000/Tape&Reel Document number: BL/SSSTF053 Rev.A www.galaxycn.com 3

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MMST4401

物料型号： - 型号：MMST4401 - 封装：SOT-323

器件简介： MMST4401是一种NPN硅外延平面晶体管，适用于音频频率通用放大器。

引脚分配： - COLLECTOR（集电极） - BASE（基极） - EMITTER（发射极）

参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：60V - 集电极-发射极电压（VCEO）：40V - 发射极-基极电压（VEBO）：6V - 集电极连续电流（Ic）：600mA - 集电极耗散功率（Pc）：200mW - 工作温度范围（Tj.Tstg）：-55°C至150°C

功能详解： - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：60V - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：40V - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：6V - 集电极截止电流（ICBO）：0.1μA - 发射极截止电流（IEBO）：0.1μA - 直流电流增益（hFE）：在VCE=1V, IC=500mA时为100至300 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.4V - 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：0.95V - 转换频率（fT）：250MHz - 集电极输出电容（Cob）：6.5pF - 延迟时间（td）：15ns - 上升时间（tr）：20ns - 存储时间：225ns - 下降时间：30ns

应用信息： MMST4401适用于音频频率的通用放大器。

封装信息： - 封装类型：SOT-323 - 尺寸参数：包括A至K的不同尺寸，具体数值请参考PDF文档中的图表。 - 包装：3000/卷带

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