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SK3A0B

SK3A0B

  • 厂商:

    BILIN(银河)

  • 封装:

  • 描述:

    SK3A0B - SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SK3A0B 数据手册
BL FEATURES GALAXY ELECTRICAL SK32B- - -SK3A0B REVERSE VOLTAGE: 20 - 100 V FORWARD CURRENT: 3.0 A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS SMB Schottky barrier rectifier Guardring protection Low forward voltage Reverse energy tested High current capability Extremely low thermal resistance MECHANICAL DATA Case: SMB molded plastic body 1111 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting position: ANY Weight: 0.003 ounces, 0.093 gram inch(mm) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified SK32B SK33B SK34B SK35B SK36B SK38B SK39BSK3A0B UNITS Device marking code Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current at TL=90 Peak forward surge current 8.3ms single halfsine-wave Maximum instantaneous forward voltage at IFM=3.0A (NOTE1) Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage Maximum thermal resistance Operating temperature range Storage temperature range TJ=25 TJ=100 SK32B SK33B SK34B SK35B SK36B SK38B SK39BSK3A0B VRRM VRWS VDC IF(AV) IFSM VF IR R JL 20 14 20 30 21 30 40 28 40 50 35 50 3.0 100.0 60 42 60 80 56 80 90 63 90 100 70 100 V V V A A 0.50 0.70 0.5 20.0 17.0 - 55 ---- +125 - 55 ---- +150 0.85 V mA o C/W o o TJ TSTG C C NOTE: 1.Pulse test: Pulse width 300us,duty cycle 1 % www.galaxycn.com Document Number 0281008 BLGALAXY ELECTRICAL 1. RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SK32B- - -SK3A0B FIG.1 -- FORWARD DERATING CURVE AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT PEAK FORWARD SURGE CURRENT AMPERES FIG.2 -- PEAK FORWARD SURGE CURRENT 80 70 60 50 40 30 20 10 4 3 TJ=TJMAX 8.3ms Single Half Sine-Wave AMPERES 2 1 Resistive or Inductive Load 0.375"(9.5mm)Lead Length 0 0 25 50 75 100 125 150 175 1 10 100 LEAD TEMPERATURE, NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.3 -- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD XXXXXXXXX----CHARACTERISTICS INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT FIG.4 -- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE 20 SK32B-SK34B SK38B-SK3A0B 1000 CAPACITANCE, pF 10 T J =25 ℃ f=1.0MHz Vsig=50mVp-p 100 AMPERES 1 SK35B-SK36B T J= 2 5 P u ls e w id t h = 3 0 0 1 % D u t y C y c le s .1 .1 .3 .5 .7 .9 1 .1 1 .3 1 .5 1 .7 1 .9 2 .1 10 0.1 1 10 100 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS REVERSE VOLTAGE,VOLTS www.galaxycn.com Document Number 0281008 BLGALAXY ELECTRICAL 2.
SK3A0B
1. 物料型号: - 型号包括SK32B、SK33B、SK34B、SK35B、SK36B、SK38B、SK39B和SK3A0B。

2. 器件简介: - 这些器件是表面贴装肖特基势垒整流器,具有低正向电压、反向能量测试、高电流能力和极低的热阻。

3. 引脚分配: - 采用SMB塑封体,极性由色带表示阴极端,安装位置任意。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM):20V至100V不等。 - 最大RMS电压(VRWS):14V至70V不等。 - 最大DC阻断电压(Voc):20V至100V不等。 - 最大平均正向整流电流(F(AV)):3.0A。 - 峰值正向浪涌电流(IFSM):100.0A。 - 最大瞬时正向电压(VF):0.50V至0.85V不等。 - 最大热阻(RJL):17.0°C/W。

5. 功能详解: - 器件具有肖特基势垒整流器和防护环,能够承受高电流和低正向电压。

6. 应用信息: - 适用于需要高电流和低正向电压的应用场合。

7. 封装信息: - 封装类型为SMB塑封体,重量为0.003盎司或0.093克。
SK3A0B 价格&库存

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