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TB8S

TB8S

  • 厂商:

    BILIN(银河)

  • 封装:

  • 描述:

    TB8S - SILICON BRIDGE RECTIFIERS - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
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TB8S 数据手册
BL FEATURES . . . . . GALAXY ELECTRICAL TB2S---TB10S Reverse Voltage: 200 - 1000V Forward Current: 0.8,1.0A SILICON BRIDGE RECTIFIERS . This series is UL recognized under Component Index, file number E239431 Glass passivated chip junction Plastic materrial has U/L flammability classification 94v-O High surge overload rating: 30A peak Save space on printed circuit boards High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds at 5 lbs. (2.3 kg) tension 1.3± 0.15 TBS 5.0± 0.15 4.4± 0.15 BL 4.4± 0.15 6.5± 0.2 MECHANICAL DATA Method 2026 . Polarity: Polarity symbols marked on body . Mounting Position: Any . Weight: Dimensions in inches and (millimeters) Dimensions in millimeters MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate by 20%. Parameter Maximum recurrent peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward output current TL=100°C Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Maximum instantaneous forward voltage at 0.4A Maximum reverse current @TA=25°C at rated DC blocking voltage Typical thermal resistance junction to lead On aluminum substrate On glass-epoxy substrate Operating junction temperature range Storage temperature range NOTES: 1). On glass epoxy P.C.B. 2). On aluminum substrate Symbol VRRM VRWS VDC IF(AV) IFSM TB2S 200 140 200 TB4S 400 280 400 TB6S 600 420 600 0.81) 1.02) 30 0.95 10 25 62.5 80 -55---+150 -55---+150 TB8S 800 560 800 0.1± 0.05 . Case: Molded plastic body over passivated junctions . Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, 0.65± 0.05 4.0± 0.1 0.6± 0.1 0.25± 0.05 TB10S 1000 700 1000 UNITS V V V A A VF IR RθJL RθJA TJ TSTG V μA °C/W °C °C www.galaxycn.com Document Number 0287187 BLGALAXY ELECTRICAL 1. RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES TB2S---TB10S FIG.1 TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS Instantaneous Forward Current, (A) 1.0 FIG.2 FORWARD DERATING CURVE 1.0 Aluminum Substrate 0.4 Average Forward Rectified Current, (A) 0.75 GLASS EPOXY P.C.B 0.1 0.5 0.25 RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD 0.01 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 0 0 25 50 75 100 125 150 Instantaneous Forward Voltage, ( V ) Ambient Temperature, (°C ) FIG.3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS Instantaneous Reverse Leakage Current, (μA) 100000 FIG.4 PEAK FORWARD SURGE CURRENT 35 Peak Forward Surge Current, (A) 120 140 30 25 20 15 10 5 0 10000 1000 TA=100°C 100 TA=25°C 10 1.0 0 20 40 60 80 100 1 10 100 Percent Of Rated Peak Reverse Voltage, % Number Of Cycles At 60Hz www.galaxycn.com Document Number 0287187 BLGALAXY ELECTRICAL 2.
TB8S
1. 物料型号: - 型号系列为TB2S至TB10S。

2. 器件简介: - 该系列是UL认可的组件索引文件编号E239431下的硅桥整流器。 - 玻璃钝化芯片结,塑料材料具有UL94V-0易燃性等级。 - 高浪涌过载额定值:30A峰值。 - 节省印刷电路板上的空间。 - 高温焊接保证:260°C/10秒,在5磅(2.3公斤)张力下。

3. 引脚分配: - 引脚为镀层引线,可按照MIL-STD-750进行焊接。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM):200V至1000V。 - 最大RMS电压(VRWS):140V至700V。 - 最大直流阻断电压(VDc):200V至1000V。 - 最大平均正向输出电流(IF(AV)):0.8A至1.0A。 - 正向峰值浪涌电流(IFSM):30A。 - 最大瞬时正向电压在0.4A时(VF):0.95V。 - 最大反向电流在25°C额定直流阻断电压时(IR):10mA。 - 典型热阻(RaJL, RaJA):25°C/W至80°C/W。 - 工作结温范围(TJ):-55°C至+150°C。 - 存储温度范围(TSTG):-55°C至+150°C。

5. 功能详解: - 提供了正向特性图、正向降额曲线、反向特性图和正向峰值浪涌电流图。

6. 应用信息: - 适用于需要高浪涌过载保护和高温焊接保证的应用场合。

7. 封装信息: - 封装为模塑塑料体覆盖钝化结,尺寸以英寸和毫米标注。

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TB8S
  •  国内价格
  • 1+0.1425
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  • 300+0.1235
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  • 5000+0.1064

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