1. 物料型号:
- 2N5679、2N5681、2N5680、2N5682
2. 器件简介:
- 这些是PNP/NPN型高电压硅晶体管,具有高电压和高电流特性,适用于一般用途。
3. 引脚分配:
- 1. EMITTER(发射极)
- 2. BASE(基极)
- 3. COLLECTOR(集电极)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- 集电极-发射极电压(VCEO):2N5679/2N5681为100V,2N5680/2N5682为120V
- 集电极-基极电压(VCBO):2N5679/2N5681为100V,2N5680/2N5682为120V
- 发射极-基极电压(VEBO):4.0V
- 集电极连续电流(IC):1.0A
- 基极电流(IB):0.5A
- 功率耗散@Ta=25°C(PD):1.0W(2N5679/2N5681),10W(2N5680/2N5682)
- 存储和工作结温范围(Tj, Tstg):-65°C至+200°C
- 热阻(Rth):结到壳(j-c)17.5°C/W(2N5679/2N5681),结到环境(j-a)175°C/W
5. 功能详解和应用信息:
- 这些晶体管具有高电压和高电流增益特性,适用于需要高电压和高电流驱动的应用场合,如电源管理、电机控制等。
6. 封装信息:
- TO-39金属封装,具体尺寸如下:
- A: 8.50mm至9.39mm
- B: 7.74mm至8.50mm
- C: 6.09mm至6.60mm
- D: 0.40mm至0.53mm
- E: 至0.88mm
- F: 2.41mm至2.66mm
- G: 4.82mm至5.33mm
- H: 0.71mm至0.86mm
- J: 0.73mm至1.02mm
- K: 12.70mm
- L: 42度至48度