2N6668

1. 物料型号： - 2N6666、2N6667、2N6668是PNP型硅达林顿功率晶体管，分别具有40V、60V和80V的Collector-Emitter Sustaining Voltage。

2. 器件简介： - 这些晶体管设计用于通用放大器和低速开关应用，具有8安培和10安培的达林顿功率晶体管，工作电压范围为40-80伏特，功率耗散为65瓦特。

3. 引脚分配： - PIN 1为BASE（基极）。

4. 参数特性： - Collector-Emitter Voltage（VCEO）：分别为40V、60V、80V。 - Collector-Base Voltage（VcBO）：均为40V、60V、80V。 - Emitter-Base Voltage（VEBO）：5.0V。 - Collector Current-Continuous -Peak（Ic ICM）：分别为8.0A、10A、10A。 - Base Current（Ib）：0.25A。 - Total Power Dissipation @T= 25°C（P0）：65W。 - Operating and Storage Junction Temperature Range（TJTSTG）：-65 to +150°C。

5. 功能详解： - 这些晶体管具有高直流电流增益（hFE），典型值为3000，适用于大电流应用。 - 它们还具有Collector-Emitter Saturation Voltage（VCE(sat)），最大值为2.0V。

6. 应用信息： - 这些晶体管适用于需要高功率和高电流增益的应用场合，如放大器和开关。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220，具有特定的引脚排列和尺寸。