1. 物料型号:
- SMCJ系列瞬态电压抑制二极管,提供多种工作峰值反向电压选项,从5V至170V。
2. 器件简介:
- 该系列瞬态电压抑制二极管适用于浪涌和ESD保护应用,采用紧凑的芯片封装DO-214AB(SMC)尺寸格式。
3. 引脚分配:
- 根据封装类型,SMCJ为单向和双向设备,其中阴极带表示单向设备,没有阴极带表示双向设备。
4. 参数特性:
- 电气特性(@ TA = 25°C):
- 最小峰值脉冲功率耗散(TP = 1ms):1500瓦特
- 峰值正向浪涌电流(8.3ms单半正弦波叠加在额定负载上):200安培(JEDEC方法)
- 稳态功率耗散@ TL = 75°C:5.0瓦特
- 最大瞬时正向电压@ IPP = 100A(仅限单向单元):VF值不同型号不同
- 工作温度范围TJ:-55至+150°C
- 存储温度范围TSTG:-55至+175°C
5. 功能详解:
- 该系列提供从5V至170V的工作峰值反向电压选择,击穿电压高达200V。典型快速响应时间单向设备小于1.0纳秒,双向设备小于5.0纳秒。
6. 应用信息:
- 适用于便携式通讯、计算机和视频设备市场,挑战半导体行业开发更小的电子元件。
7. 封装信息:
- 推荐尺寸:SMC(DO-214AB),提供尺寸参数和包装信息,符合EIA标准RS-481-A,每卷数量为3000。