参考文献
DRV5032
ZHCSGW2H – APRIL 2017 – REVISED DECEMBER 2024
DRV5032 超低功耗数字开关霍尔效应传感器
1 特性
3 说明
• 业界出色的超低功耗
– 5Hz 版本：0.54µA
– 20Hz 版本：1.3µA
– 80Hz 版本：5.2µA
• 工作 VCC 范围：1.65V 至 5.5V
• 工作温度范围：-40°C 至 +85°C
• 磁性阈值选项（最大 BOP）：
– DG 版本：3.4mT
– DU 版本：3.9mT
– FA、FB、FC、FD 版本：4.8mT
– AJ 版本：9.5mT
– ZE 版本：63mT
• 全极和单极选项
• 开漏和推挽输出选项
• SOT-23、X2SON 和 TO-92 封装选项
DRV5032 器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感
器，专为最紧凑型和电池敏感型系统而设计。该器件提
供了多种磁性阈值、采样率、输出驱动器和封装以适配
各种应用。
当施加的磁通密度超过 BOP 阈值时，器件会输出低电
压。输出会保持低电压，直到磁通密度下降到 BRP 以
下，随后输出将驱动高电压或变成高阻抗，具体取决于
器件版本。通过集成内部振荡器，该器件对磁场进行采
样，并以 80Hz、20Hz 或 5Hz 的速率更新输出，以实
现超低电流消耗。可提供全极和单极磁响应。
此器件在 1.65V 至 5.5V 的 VCC 范围内工作，并采用
标准的 SOT-23、TO-92 和小型 X2SON 封装。
封装信息
DBZ（SOT-23，3）
2 应用
DRV5032
电池关键型位置感应
电表篡改检测
手机、笔记本电脑或平板电脑外壳感应
电子锁、烟雾探测器、电器
医疗设备、物联网系统
阀门或电磁阀位置检测
非接触式诊断或激活
(1)
(2)
封装尺寸(2)
2.92mm × 2.37mm
DMR（X2SON，4） 1.4mm × 1.1mm
LPG（TO-92，3）
4mm × 1.52mm
如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
1.4
distance
VCC
DRV5032
VCC
OUT
N S
Controller
GPIO
GND
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典型电路原理图
Average Supply Current (A)
•
•
•
•
•
•
•
封装(1)
器件型号
1.2
1
0.8
0.6
0.4
1.65V
3V
5.5V
0.2
0
-40
-10
20
Te mperature (C)
50
80
5Hz 版本的电流消耗
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认
准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 器件比较............................................................................ 2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值...........................................................4
6.2 ESD 等级.................................................................... 4
6.3 建议运行条件.............................................................. 4
6.4 热性能信息.................................................................. 4
6.5 电气特性......................................................................5
6.6 磁特性......................................................................... 6
6.7 典型特性......................................................................7
7 详细说明.......................................................................... 10
7.1 概述...........................................................................10
7.2 功能方框图................................................................ 10
7.3 特性说明....................................................................11
7.4 器件功能模式............................................................ 15
8 应用和实现.......................................................................16
8.1 应用信息....................................................................16
8.2 典型应用....................................................................16
8.3 最佳设计实践............................................................ 20
8.4 电源相关建议............................................................ 20
8.5 布局...........................................................................21
9 器件和文档支持............................................................... 22
9.1 文档支持....................................................................22
9.2 接收文档更新通知..................................................... 22
9.3 支持资源....................................................................22
9.4 商标...........................................................................22
9.5 静电放电警告............................................................ 22
9.6 术语表....................................................................... 22
10 修订历史记录................................................................. 22
11 机械、封装和可订购信息............................................... 23
4 器件比较
表 4-1. 器件比较
版本
最大
阈值
磁
响应
输出
类型
采样
率
DRV5032DG
3.4mT
单极
推挽
80Hz
X2SON
DRV5032DU
3.9mT
单极
推挽
20Hz
SOT-23、X2SON、TO-92
全极
推挽
20Hz
SOT-23、X2SON、TO-92
全极
推挽
5Hz
SOT-23、X2SON、TO-92
全极
漏极开路
20Hz
SOT-23、TO-92
单极
推挽
20Hz
X2SON、TO-92
全极
漏极开路
20Hz
SOT-23、X2SON、TO-92
漏极开路
20Hz
SOT-23、TO-92
DRV5032FA
DRV5032FB
DRV5032FC
4.8mT
DRV5032FD
2
DRV5032AJ
9.5mT
DRV5032ZE
63mT
全极
可用
封装
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5 引脚配置和功能
VCC
1
GND
3
OUT
1
VCC
3
2
OUT2
图 5-1. FA、FB、FC、AJ、ZE 版本 DBZ 封装 3 引脚
SOT-23 顶视图
GND
2
图 5-2. DU 版本 DBZ 封装 3 引脚 SOT-23 顶视图
VCC
OUT
VCC
OUT1
1
4
1
4
Thermal
Pad
Thermal
Pad
2
2
3
3
GND OUT2
图 5-4. DU、DG、FD 版本 DMR 封装 4 引脚 X2SON
顶视图
GND
NC
图 5-3. FA、FB、AJ 版本 DMR 封装 4 引脚 X2SON
顶视图
3
OUT
3
OUT2
2
GND
2
GND
1
VCC
1
VCC
图 5-5. FA、FB、FC、AJ、ZE 版本 LPG 封装 3 引脚
TO-92 顶视图
图 5-6. DU、FD 版本 LPG 封装 3 引脚 TO-92 顶视图
表 5-1. 引脚功能
引脚
名称
SOT-23
（FA、FB、
FC、AJ、
ZE）
SOT-23
(DU)
TO-92
（FA、
FB、FC、
AJ、ZE）
TO-92
（DU、
FD）
X2SON
（FA、
FB、
AJ）
X2SON
（DU、
DG、FD）
I/O
说明
GND
3
3
2
2
2
2
—
接地基准
OUT
2
—
3
—
4
—
O
响应南北磁极的全极输出
O
对靠近封装顶部的北极磁极作出响应的单极输出
OUT1
—
—
—
—
—
4
OUT2
—
2
—
3
—
3
O
对靠近封装顶部的南极磁极作出响应的单极输出
NC
—
—
—
—
3
—
—
无连接。此引脚未连接到器件。将此引脚悬空或接地。将此引脚焊
接到电路板上以获得机械支持。
VCC
1
1
1
1
1
1
—
1.65V 至 5.5V 电源。TI 建议将此引脚连接到一个电容值至少为
0.1µF 的接地陶瓷电容器。
散热焊
盘
—
—
—
—
PAD
PAD
—
无连接。将此引脚悬空或接地。将此引脚焊接到电路板上以获得机
械支持。
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
最大值
-0.3
5.5
电源电压
VCC
电源电压压摆率
VCC
输出电压
OUT、OUT1、OUT2
-0.3
VCC + 0.3
输出电流
OUT、OUT1、OUT2
-5
5
V
V / µs
无限
磁通密度，BMAX
V
mA
T
无限
结温，TJ
-65
贮存温度，Tstg
(1)
单位
105
°C
150
°C
应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力等级，这并不表示器件在这些条件下以及在
建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
6.2 ESD 等级
值
V(ESD)
(1)
(2)
静电放电
单位
人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标
准(1)
±6000
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2)
±750
V
JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
6.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
最大值
1.65
5.5
输出电压
0
5.5
输出电流
-5
5
mA
-40
85
°C
VCC
电源电压
VO
IO
TA
工作环境温度
单位
V
V
6.4 热性能信息
DRV5032
热指标(1)
DMR (X2SON)
LPG (TO-92)
单位
3 引脚
4 引脚
3 引脚
RθJA
结至环境热阻
356
159
183.1
°C/W
RθJC(top)
结至外壳（顶部）热阻
128
77
74.2
°C/W
RθJB
结至电路板热阻
94
102
158.8
°C/W
ΨJT
结至顶部特征参数
11.4
0.9
15.2
°C/W
ΨJB
结至电路板特征参数
92
100
158.8
°C/W
(1)
4
DBZ (SOT-23)
有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用手册。
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6.5 电气特性
对于 VCC = 1.65V 至 5.5V，在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
VCC – 0.35
VCC – 0.1
最大值
单位
推挽式输出驱动器
VOH
高电平输出电压
IOUT = -1mA
VOL
低电平输出电压
IOUT = 1mA
高阻抗输出漏电流
VCC = 5.5V，OUT = 5.5V
低电平输出电压
IOUT = 1mA
V
0.1
0.3
V
开漏输出
IOZ
VOL
5
100
nA
0.1
0.3
V
DG 版本
fS
磁采样频率
40
80
120
Hz
tS
磁采样周期
8
12.5
25
ms
ICC(AVG)
平均电流消耗
7.9
µA
VCC = 1.8V
5.2
VCC = 3V
5.7
VCC = 5V
6
DU、FA、FC、FD、AJ、ZE 版本
fS
磁采样频率
13.3
20
37
Hz
tS
磁采样周期
27
50
75
ms
ICC(AVG)
平均电流消耗
3.5
µA
VCC = 1.8V
1.3
VCC = 3V
1.6
VCC = 5V
2.3
FB 版本
fS
tS
ICC(AVG)
磁采样频率
3.5
5
8.5
Hz
磁采样周期
117
200
286
ms
1.8
µA
平均电流消耗
VCC = 1.8V
0.54
VCC = 3V
0.69
VCC = 5V
1.06
所有版本
ICC(PK)
峰值电流消耗
2
2.7
mA
tON
上电时间(请参阅图 8-7)
55
100
µs
tACTIVE
工作时间段(请参阅图 8-7)
40
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6.6 磁特性
对于 VCC = 1.65V 至 5.5V，在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
OUT1 引脚（北）(2)
TA = 25°C
-3.32
-2.5
-1.72
OUT1 引脚（北）(2)
单位
DG 版本
BOP
磁性阈值工作点
BRP
磁性阈值释放点
BHYS
磁迟滞：|BOP – BRP|
-3.40
-2.5
-1.56
OUT2 引脚（南）
TA = 25°C
1.72
2.5
3.32
OUT2 引脚（南）
1.56
2.5
3.40
OUT1 引脚（北）(2)
TA = 25°C
-2.62
-1.8
-1.17
OUT1 引脚（北）(2)
-2.73
-1.8
-0.9
OUT2 引脚（南）
TA = 25°C
1.17
1.8
2.62
OUT2 引脚（南）
0.9
1.8
2.73
每个输出
TA = 25°C
0.21
0.7
1.19
每个输出
0.13
0.7
1.27
OUT1 引脚（北）(2)
-3.9
-2.5
-1.2
1.2
2.5
3.9
-3.5
-1.8
-0.9
OUT2 引脚（南）
0.9
1.8
3.5
每个输出
0.1
0.7
1.9
mT
mT
mT
mT
DU 版本
BOP
磁性阈值工作点
BRP
磁性阈值释放点
BHYS
磁迟滞：|BOP – BRP|
OUT2 引脚（南）
OUT1 引脚（北）(2)
mT
mT
FA、FB、FC 版本
BOP
磁性阈值工作点
±1.5
±3
±4.8
mT
BRP
磁性阈值释放点
±0.5
±1.5
±3
mT
BHYS
磁迟滞：|BOP – BRP|
0.8
1.5
3
mT
-4.8
-3
-1.5
1.5
3
4.8
FD 版本
BOP
磁性阈值工作点
BRP
磁性阈值释放点
BHYS
磁迟滞：|BOP – BRP|
OUT1 引脚（北）(2)
OUT2 引脚（南）
OUT1 引脚（北）(2)
mT
-3
-1.5
-0.5
OUT2 引脚（南）
0.5
1.5
3
每个输出
0.8
1.5
3
mT
±4
±7
±9.5
mT
mT
AJ 版本
BOP
磁性阈值工作点
BRP
磁性阈值释放点
±3
±5.6
±7.5
mT
BHYS
磁迟滞：|BOP – BRP|
0.5
1.4
3
mT
BOP
磁性阈值工作点
±33
±47
±63
mT
BRP
磁性阈值释放点
±30
±43
±58
mT
BHYS
磁迟滞：|BOP – BRP|
1.2
4
8.5
mT
ZE 版本
(1)
(2)
6
有关磁性阈值的图形描述，请参阅磁响应 部分。
仅限 X2SON 封装。
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3
1.4
2.5
1.2
2
1.5
1
1.65V
3V
5.5V
0.5
0
-40
-10
20
Te mperature (C)
50
Average Supply Current (A)
Average Supply Current (A)
6.7 典型特性
1
0.8
0.6
0.4
0
-40
80
图 6-1. ICC(AVG) 与温度间的关系（20Hz 版本）
-10
5.5
5
1.65V
3V
5.5V
4.5
-10
20
Te mperature (C)
50
Magnetic Threshold Operate Point (mT)
6
4
-40
80
7
6
4
3
2
-40
80
FA, FB, FC, FD Versions
AJ Version
DG, DU Versions
5
图 6-3. ICC(AVG) 与温度间的关系（40Hz 版本）
-20
0
20
40
Te mperature (°C)
60
80
图 6-4. |BOP| 与温度间的关系
6
8
5
4
FA, FB, FC, FD Versions
AJ Version
DG, DU Versions
3
2
-20
0
20
40
Te mperature (°C)
60
80
Magnetic Threshold Operate Point (mT)
Magnetic Threshold Release Point (mT)
50
8
6.5
1
-40
20
Te mperature (C)
图 6-2. ICC(AVG) 与温度间的关系（5Hz 版本）
7
Average Supply Current (A)
1.65V
3V
5.5V
0.2
7
6
FA, FB, FC, FD Versions
AJ Version
DG, DU Versions
5
4
3
2
1.5
2.5
3.5
Supply Voltage (V)
4.5
5.5
图 6-6. |BOP| 与 VCC 间的关系
图 6-5. |BRP| 与温度间的关系
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6.7 典型特性 （续）
60
5
4
FA, FB, FC, FD Versions
AJ Version
DG, DU Versions
3
2
1
1.5
2.5
3.5
Supply Voltage (V)
4.5
Magnetic Threshold Operate Point (mT)
Magnetic Threshold Release Point (mT)
6
55
50
45
40
35
30
-40
5.5
-10
图 6-7. |BRP| 与 VCC 间的关系
80
D020
50
Magnetic Threshold Operate Point (mT)
Magnetic Threshold Release Point (mT)
50
图 6-8. ZE 版本 |BOP| 与温度间的关系
60
55
50
45
40
35
30
-40
-10
20
Temperature (°C)
50
49
48
47
46
45
1.5
80
2.5
D021
图 6-9. ZE 版本 |BRP| 与温度间的关系
3.5
Supply Voltage (V)
4.5
5.5
D018
图 6-10. ZE 版本 |BOP| 与 VCC 间的关系
45
2
44
1.5
43
Density
Magnetic Threshold Release Point (mT)
20
Temperature (°C)
42
1
0.5
41
0
40
1.5
2.5
3.5
Supply Voltage (V)
4.5
5.5
4
D019
图 6-11. ZE 版本 |BRP| 与 VCC 间的关系
5
6
7
8
Magnetic Threshold Operate Point (mT)
9
9.5
D102
TA = 25°C，VCC = 1.65V 至 5.5V
图 6-12. AJ 版本 BOP 概率密度函数
8
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6.7 典型特性 （续）
2
5
4
Density
Density
1.5
1
3
2
0.5
1
0
3
4
5
6
Magnetic Threshold Release Point (mT)
7
7.5
0
0.5
D103
TA = 25°C，VCC = 1.65V 至 5.5V
1
1.5
2
Magnetic Hysteresis (mT)
2.5
3
D101
TA = 25°C，VCC = 1.65V 至 5.5V
图 6-13. AJ 版本 BRP 概率密度函数
图 6-14. AJ 版本 BHYS 概率密度函数
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7 详细说明
7.1 概述
DRV5032 器件是一款具有数字输出的磁传感器，可指示何时超过磁通密度阈值。该器件集成了霍尔效应元件、模
拟信号调节和低频振荡器，可实现超低平均功耗。该器件由 1.65V 至 5.5V 的电源供电，可定期测量磁通密度、更
新输出并进入低功耗睡眠状态。
7.2 功能方框图
0.1 F
(min)
VCC
(1)
VCC
Voltage
Regulator
Ultra-low-power
Oscillator
REF
OUT / OUT1
Output
Control
Element Bias
Offset
Cancellation
(1)
VCC
Amp
OUT2
Temperature
Compensation
(1) Output type depe nds on de vice ve rsi on
GND
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7.3 特性说明
7.3.1 磁通量方向
DRV5032 器件对垂直于封装顶部的磁场分量敏感（如图 7-1 所示）。
TO-92
B
B
B
SOT-23
X2SON
PCB
图 7-1. 灵敏度方向
在该数据表中，从封装底部到顶部的磁通量被认为是正的。当南磁极靠近封装顶部时，就会出现这种情况。从封
装顶部到底部的磁通量会产生负毫特斯拉值。
positive B
negative B
N
S
S
N
PCB
PCB
图 7-2. 磁通量方向极性
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7.3.2 器件版本比较
下表列出了可用的器件版本。
版本
最大
阈值
磁
响应
输出
类型
采样
率
DRV5032DG
3.4mT
单极
推挽
80Hz
X2SON
DRV5032DU
3.9mT
单极
推挽
20Hz
SOT-23、X2SON、TO-92
全极
推挽
20Hz
SOT-23、X2SON、TO-92
全极
推挽
5Hz
SOT-23、X2SON、TO-92
全极
漏极开路
20Hz
SOT-23、TO-92
单极
推挽
20Hz
X2SON、TO-92
全极
漏极开路
20Hz
SOT-23、X2SON、TO-92
漏极开路
20Hz
SOT-23、TO-92
DRV5032FA
DRV5032FB
4.8mT
DRV5032FC
DRV5032FD
DRV5032AJ
9.5mT
DRV5032ZE
63mT
全极
可用
封装
7.3.2.1 磁性阈值
具有较低磁性阈值的器件可以检测更远距离的磁体。较高的阈值通常需要更近的距离或更大的磁体。
7.3.2.2 磁响应
FA、FB、FC、AJ 和 ZE 器件版本具有全极功能，这些版本都以相同的方式响应北极和南极，如图 7-3 所示。
OUT
BHYS
BHYS
VCC
0V
BOP BRP
north
B
BRP BOP
0 mT
south
图 7-3. 全极功能
DU、DG 和 FD 器件版本具有单极功能。引脚 OUT1 仅响应自上而下方向（北）的磁通，引脚 OUT2 仅响应自下
而上方向（南）的磁通。
OUT1
OUT2
BHYS
BHYS
VCC
VCC
0V
north
BOP BRP
0 mT
0V
B
south
north
B
0 mT
BRP BOP
south
图 7-4. 单极功能
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7.3.2.3 输出类型
DU、DG、FA、FB 和 FD 器件版本具有可驱动 VCC 或接地电平的推挽式 CMOS 输出。FC、AJ 和 ZE 器件版本
具有开漏输出，可以变成高阻抗或驱动接地。对于这些版本，必须使用外部上拉电阻器。
VCC
Output
Control
Output
图 7-5. 推挽式输出（简化版）
Output
Control
Output
图 7-6. 开漏输出（简化版）
7.3.2.4 采样率
当 DRV5032 器件上电时，它会测量第一个磁性样本并设置 tON 时间内的输出。输出被锁存，器件进入超低功耗睡
眠状态。在每个 tS 时间后，器件会测量一个新的样本，并在必要时更新输出。如果磁场在各周期之间没有变化，
则输出不会改变。
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VCC
1.65 V
tON
time
tS
ICC
tS
tACTIVE
ICC(PK)
time
Output
VCC
Invalid
2nd sample
1st sample
3rd sample
GND
time
图 7-7. 时序图
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7.3.3 霍尔元件位置
从顶部看，器件内部的感应元件位于两个封装的中心。图 7-8 显示容差和侧视图尺寸。
SOT-23
Top View
SOT-23
Side View
centered
650 µm
±70 µm
±80 µm
X2SON
Top View
X2SON
Side View
centered
250 µm
±60 µm
±50 µm
TO-92
Top View
2 mm
2 mm
TO-92
Side View
1.54 mm
1.61 mm
±50 µm
1030 µm
±115 µm
图 7-8. 霍尔元件位置
7.4 器件功能模式
DRV5032 器件有一种运行模式，这种模式在满足建议运行条件 时适用。
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8 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于 TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
8.1 应用信息
DRV5032 器件通常用于检测磁铁的接近程度。磁体通常附在系统中的可移动元件上。
8.1.1 输出类型权衡
推挽式输出可实现极低的系统功耗，因为当输出驱动为高电平或低电平时没有电流泄漏路径。当输出驱动为低电
平时，开漏输出涉及通过外部上拉电阻的泄漏路径。
多个器件的开漏输出可以连接在一起形成一个逻辑与。在此设置中，如果任何传感器驱动为低电平，共享节点上
的电压就会变低。这允许使用单个 GPIO 来测量传感器阵列。
8.2 典型应用
8.2.1 通用磁感应
distance
VCC
DRV5032
VCC
OUT
N S
Controller
GPIO
GND
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图 8-1. 典型应用图
8.2.1.1 设计要求
对于这个设计示例，请使用 表 8-1 中列出的参数。
表 8-1. 设计参数
设计参数
示例值
VCC
3.3V
磁性
1cm 立方体 NdFeB
最近磁体距离
2.5 cm
最近距离下的磁通量密度
7.8mT
磁体远离时的磁通密度
接近 0mT
8.2.1.2 详细设计过程
在设计数字开关磁感应系统时，应考虑三个变量：磁体、感应距离和传感器的阈值。
DRV5032 器件具有由参数 BOP 指定的检测阈值。为了可靠地激活传感器，磁体必须施加大于最大指定 BOP 的
值。在此类系统中，传感器通常会在磁体移动到最近位置前检测到磁体。磁体远离传感器时，必须施加小于指定
的最小 BRP 才能可靠地释放传感器。
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磁体由各种铁磁材料制成，这些材料在成本、温度漂移、绝对最大温度额定值、剩余磁化强度或剩余感应 (Br) 以
及矫顽力 (Hc) 等方面进行权衡。Br 和磁体的尺寸决定了磁体在三维空间中产生的磁通量密度 (B)。对于简单的磁
体形状，例如矩形块和圆柱体，有一些简单的方程式可以在以磁体为中心的给定距离处求解 B。
Thickness
Thickness
Width
Distance
Length
S
S
N
Distance
B
N
B
Diameter
图 8-2. 矩形方框和圆柱体磁体
将方程式 1 用于图 8-2 中显示的矩形方框：
B
B = πr arctan
WL
2D 4D2 + W2 + L2
− arctan
将方程式 2 用于图 8-2 中显示的圆柱体：
B
B = 2r
其中
•
•
•
•
•
0.5C
D+T
−
2
2
+ D+T
D
2
0.5C
2 D+T
WL
4 D+T
2
(1)
+ W2 + L2
(2)
+ D2
W 是宽度。
L 是长度。
T 是厚度（磁化方向）。
D 是距离。
C 是直径。
若要查看采用这些公式的在线工具，请访问 http://www.ti.com.cn/product/cn/drv5033。
一般情况下，所有磁性材料随着温度升高，Br 会降低。确保系统留出裕度来应对这一点以及机械容差。
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8.2.1.3 应用曲线
60
Magnetic Flux Density (mT)
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Distance (cm)
4
4.5
5
D017
图 8-3. 1cm 立方体 NdFeB 磁体的磁剖面
8.2.2 三位置开关
此应用使用 DRV5032FD 作为三位开关。
1
2
3
PCB
图 8-4. 带嵌入式磁体的三位置滑动开关
8.2.2.1 设计要求
对于这个设计示例，请使用 表 8-2 中列出的参数。
表 8-2. 设计参数
设计参数
示例值
霍尔效应器件
DRV5032FD
VCC
5V
开关行程距离
每个方向 5mm
磁性
10mm 气缸
每个位置的机械裕度
±0.5mm
8.2.2.2 详细设计过程
标准的 2 极磁体在磁极外缘附近产生强垂直磁通分量，而在南北极边界中心附近不会产生垂直磁通。当
DRV5032FD 位于磁体中心下方时，该器件检测到的磁场强度接近 0mT，并且两个输出都驱动为高电平。如果带
有嵌入式磁体的开关向左或向右移动，传感器会接收到一个北磁场或南磁场，并且 OUT1 或 OUT2 驱动为低电
平。这提供了 3 个数字检测状态。
理想情况下，磁体的长度应该是每边行进距离的两倍。然后，当开关被推到任一侧时，磁体的外边缘直接位于传
感器上方，此时磁体会施加最强的垂直磁通分量。
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若要确定给定磁体和距离的磁通密度大小，TI 建议使用仿真软件、通过线性霍尔效应传感器进行测试或通过高斯
计进行测试。
8.2.2.3 应用曲线
图 8-5 展示了双极磁体周围的典型磁通线。
图 8-5. 典型磁通线
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8.3 最佳设计实践
霍尔元件对垂直于封装顶部的磁场很敏感，因此必须使用正确的磁铁方法让传感器检测磁场。图 8-6 展示了正确
的方法和不正确的方法。
CORRECT
S
S
N
N
N
S
INCORRECT
N
S
图 8-6. 正确的磁方法和不正确的磁方法
8.4 电源相关建议
DRV5032 器件由 1.65V 至 5.5V 电源供电。必须使用靠近器件的去耦电容器以最小电感提供局部能量。TI 建议使
用容值至少为 0.1µF 的陶瓷电容器。
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8.5 布局
8.5.1 布局指南
磁场在没有明显干扰的情况下穿过大多数非铁磁材料。通常的做法是将霍尔效应传感器嵌入塑料或铝制外壳中，
并在外部安装感应磁体。磁场也很容易穿过大多数印刷电路板，这使得将磁体放置在另一侧成为可能。
8.5.2 布局示例
VCC
OUT
VCC
GND
Thermal
Pad
VCC
GND
GND
OUT
NC
OUT
图 8-7. 布局示例
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9 器件和文档支持
9.1 文档支持
9.1.1 相关文档
请参阅以下相关文档：
• 德州仪器 (TI)，DRV5032-SOLAR-EVM 用户指南
• 德州仪器 (TI)，具有磁传感器的电源门控系统 应用简报
• 德州仪器 (TI)，支持低于 1GHz 技术并可实现 10 年纽扣电池寿命的低功耗车门和车窗传感器 设计指南
• 德州仪器 (TI)，采用低功耗霍尔效应传感器的磁篡改检测 设计指南
• 德州仪器 (TI)，使用超低功耗的高架故障指示灯故障监控 设计指南
9.2 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击通知 进行注册，即可每周接收产品信息更改摘
要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
9.3 支持资源
TI E2E™ 中文支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家处获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索
现有解答或提出自己的问题，获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的使用条款。
9.4 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
9.5 静电放电警告
静电放电 (ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
9.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
10 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision G (July 2024) to Revision H (December 2024)
Page
• 将采用 DMR 封装的 FB 器件版本的状态从预发布 更改为正在供货 .................................................................. 1
Changes from Revision F (February 2022) to Revision G (July 2024)
•
•
•
•
22
Page
向 DMR (X2SON) 封装添加了 DG 器件版本...................................................................................................... 1
向 DMR (X2SON) 封装添加了预发布 FB 器件版本信息..................................................................................... 1
将器件信息 表更改为封装信息 ...........................................................................................................................1
更改了布局示例图像中的 X2SON 封装，以便与引脚配置和功能 部分中的引脚排列图相匹配.........................21
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Changes from Revision E (January 2020) to Revision F (February 2022)
Page
• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1
Changes from Revision D (November 2017) to Revision E (January 2020)
Page
• 添加了 LPG (TO-92) 封装...................................................................................................................................1
• 向“磁特性”表中添加了 DU 和 FD 封装磁性阈值操作点的注释....................................................................... 6
• 向典型特性 部分中添加了 BOP、BRP 和 BHYS 的概率密度函数图...................................................................... 7
Changes from Revision C (September 2017) to Revision D (November 2017)
Page
• 在数据表中添加了 DU 器件版本......................................................................................................................... 2
Changes from Revision B (August 2017) to Revision C (September 2017)
Page
• 将 AJ 器件版本从预发布更改为正在供货 ...........................................................................................................2
Changes from Revision A (May 2017) to Revision B (August 2017)
Page
• 添加了 ZE 器件版本和预发布 AJ 器件版本.........................................................................................................2
Changes from Revision * (April 2017) to Revision A (May 2017)
Page
• 新增了 FA 和 FD 器件版本................................................................................................................................. 1
11 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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23-May-2025
PACKAGING INFORMATION
Orderable part number
Status
Material type
(1)
(2)
Package | Pins
Package qty | Carrier
RoHS
(3)
Lead finish/
Ball material
MSL rating/
Peak reflow
(4)
(5)
Op temp (°C)
Part marking
(6)
DRV5032AJDBZR
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
(1M6W, 2AJ)
DRV5032AJDBZR.A
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
(1M6W, 2AJ)
DRV5032AJDBZT
Obsolete
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
-
-
Call TI
Call TI
-40 to 85
(1M6W, 2AJ)
DRV5032AJDMRR
Active
Production
X2SON (DMR) | 4
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2AJ
DRV5032AJDMRR.A
Active
Production
X2SON (DMR) | 4
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2AJ
DRV5032AJDMRT
Obsolete
Production
X2SON (DMR) | 4
-
-
Call TI
Call TI
-40 to 85
2AJ
DRV5032AJLPG
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32AJ
DRV5032AJLPG.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32AJ
DRV5032AJLPGM
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32AJ
DRV5032AJLPGM.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32AJ
DRV5032DGDMRR
Active
Production
X2SON (DMR) | 4
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2DG
DRV5032DGDMRR.A
Active
Production
X2SON (DMR) | 4
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2DG
DRV5032DUDBZR
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2DU
DRV5032DUDBZR.A
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2DU
DRV5032DUDBZT
Obsolete
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
-
-
Call TI
Call TI
-40 to 85
2DU
DRV5032DUDMRR
Active
Production
X2SON (DMR) | 4
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2DU
DRV5032DUDMRR.A
Active
Production
X2SON (DMR) | 4
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2DU
DRV5032DULPG
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32DU
DRV5032DULPG.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32DU
32DU
DRV5032DULPGM
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
DRV5032DULPGM.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32DU
DRV5032FADBZR
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
(1LVW, 2FA)
DRV5032FADBZR.A
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
(1LVW, 2FA)
DRV5032FADBZT
Obsolete
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
-
-
Call TI
Call TI
-40 to 85
(1LVW, 2FA)
DRV5032FADMRR
Active
Production
X2SON (DMR) | 4
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2FA
DRV5032FADMRR.A
Active
Production
X2SON (DMR) | 4
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2FA
DRV5032FADMRT
Obsolete
Production
X2SON (DMR) | 4
-
-
Call TI
Call TI
-40 to 85
2FA
DRV5032FALPG
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FA
DRV5032FALPG.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FA
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
Orderable part number
23-May-2025
Status
Material type
(1)
(2)
Package | Pins
Package qty | Carrier
RoHS
(3)
DRV5032FALPGM
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
DRV5032FALPGM.A
Active
Production
DRV5032FBDBZR
Active
Production
DRV5032FBDBZR.A
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
DRV5032FBDBZT
Obsolete
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
DRV5032FBLPG
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
DRV5032FBLPG.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
Lead finish/
Ball material
MSL rating/
Peak reflow
Op temp (°C)
(4)
(5)
N/A for Pkg Type
-40 to 85
Part marking
(6)
3000 | AMMO
Yes
SN
32FA
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FA
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
(1LWW, 2FB)
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
(1LWW, 2FB)
-
-
Call TI
Call TI
-40 to 85
(1LWW, 2FB)
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FB
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FB
DRV5032FBLPGM
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FB
DRV5032FBLPGM.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FB
DRV5032FCDBZR
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
(1M7W, 2FC)
DRV5032FCDBZR.A
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
(1M7W, 2FC)
DRV5032FCDBZT
Obsolete
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
-
-
Call TI
Call TI
-40 to 85
(1M7W, 2FC)
DRV5032FCLPG
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FC
DRV5032FCLPG.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FC
DRV5032FCLPGM
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FC
DRV5032FCLPGM.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FC
DRV5032FDDMRR
Active
Production
X2SON (DMR) | 4
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2FD
DRV5032FDDMRR.A
Active
Production
X2SON (DMR) | 4
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
2FD
DRV5032FDDMRT
Obsolete
Production
X2SON (DMR) | 4
-
-
Call TI
Call TI
-40 to 85
2FD
DRV5032FDLPG
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FD
DRV5032FDLPG.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | BULK
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FD
DRV5032FDLPGM
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FD
DRV5032FDLPGM.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32FD
DRV5032ZEDBZR
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
(1M8W, 2ZE)
DRV5032ZEDBZR.A
Active
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
3000 | LARGE T&R
Yes
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
(1M8W, 2ZE)
DRV5032ZEDBZT
Obsolete
Production
SOT-23 (DBZ) | 3
-
-
Call TI
Call TI
-40 to 85
(1M8W, 2ZE)
DRV5032ZELPG
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | SMALL T&R
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32ZE
DRV5032ZELPG.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
1000 | SMALL T&R
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32ZE
DRV5032ZELPGM
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32ZE
DRV5032ZELPGM.A
Active
Production
TO-92 (LPG) | 3
3000 | AMMO
Yes
SN
N/A for Pkg Type
-40 to 85
32ZE
Addendum-Page 2
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
(1)
23-May-2025
Status: For more details on status, see our product life cycle.
(2)
Material type: When designated, preproduction parts are prototypes/experimental devices, and are not yet approved or released for full production. Testing and final process, including without limitation quality assurance,
reliability performance testing, and/or process qualification, may not yet be complete, and this item is subject to further changes or possible discontinuation. If available for ordering, purchases will be subject to an additional
waiver at checkout, and are intended for early internal evaluation purposes only. These items are sold without warranties of any kind.
(3)
RoHS values: Yes, No, RoHS Exempt. See the TI RoHS Statement for additional information and value definition.
(4)
Lead finish/Ball material: Parts may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two lines if the finish value exceeds the maximum
column width.
(5)
MSL rating/Peak reflow: The moisture sensitivity level ratings and peak solder (reflow) temperatures. In the event that a part has multiple moisture sensitivity ratings, only the lowest level per JEDEC standards is shown.
Refer to the shipping label for the actual reflow temperature that will be used to mount the part to the printed circuit board.
(6)
Part marking: There may be an additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category of the part.
Multiple part markings will be inside parentheses. Only one part marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a part. If a line is indented then it is a continuation of the previous line and the two
combined represent the entire part marking for that device.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information provided by third parties, and
makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and continues to take reasonable steps to provide representative
and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals. TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers
and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 3
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
23-Apr-2025
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
B0 W
Reel
Diameter
Cavity
A0
B0
K0
W
P1
A0
Dimension designed to accommodate the component width
Dimension designed to accommodate the component length
Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1
Q2
Q1
Q2
Q3
Q4
Q3
Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
Diameter Width (mm)
(mm) W1 (mm)
B0
(mm)
K0
(mm)
P1
(mm)
DRV5032AJDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
180.0
8.4
DRV5032AJDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
180.0
DRV5032AJDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
178.0
DRV5032DGDMRR
X2SON
DMR
4
3000
DRV5032DUDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
DRV5032FADBZR
SOT-23
DBZ
3
W
Pin1
(mm) Quadrant
3.2
2.85
1.3
4.0
8.0
Q3
8.4
3.15
2.77
1.22
4.0
8.0
Q3
9.0
3.15
2.77
1.22
4.0
8.0
Q3
180.0
8.4
1.27
1.57
0.5
4.0
8.0
Q1
180.0
8.4
3.15
2.77
1.22
4.0
8.0
Q3
3000
180.0
8.4
3.2
2.85
1.3
4.0
8.0
Q3
DRV5032FBDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
180.0
8.4
3.2
2.85
1.3
4.0
8.0
Q3
DRV5032FCDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
178.0
9.0
3.15
2.77
1.22
4.0
8.0
Q3
DRV5032FCDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
180.0
8.4
3.15
2.77
1.22
4.0
8.0
Q3
DRV5032FCDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
180.0
8.4
3.2
2.85
1.3
4.0
8.0
Q3
DRV5032ZEDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
180.0
8.4
3.2
2.85
1.3
4.0
8.0
Q3
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
23-Apr-2025
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
W
L
H
*All dimensions are nominal
Device
Package Type
Package Drawing
Pins
SPQ
Length (mm)
Width (mm)
Height (mm)
DRV5032AJDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
210.0
185.0
35.0
DRV5032AJDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
183.0
183.0
20.0
DRV5032AJDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
180.0
180.0
18.0
DRV5032DGDMRR
X2SON
DMR
4
3000
200.0
183.0
25.0
DRV5032DUDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
183.0
183.0
20.0
DRV5032FADBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
210.0
185.0
35.0
DRV5032FBDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
210.0
185.0
35.0
DRV5032FCDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
180.0
180.0
18.0
DRV5032FCDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
183.0
183.0
20.0
DRV5032FCDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
210.0
185.0
35.0
DRV5032ZEDBZR
SOT-23
DBZ
3
3000
210.0
185.0
35.0
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
DBZ0003A
SOT-23 - 1.12 mm max height
SCALE 4.000
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
2.64
2.10
1.4
1.2
PIN 1
INDEX AREA
1.12 MAX
B
A
0.1 C
1
0.95
(0.125)
3.04
2.80
1.9
3
(0.15)
NOTE 4
3X
0.5
0.3
0.2
2
C A B
4X 0 -15
(0.95)
0.10
TYP
0.01
4X 4 -15
0.25
GAGE PLANE
0 -8 TYP
0.20
TYP
0.08
0.6
TYP
0.2
SEATING PLANE
4214838/F 08/2024
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Reference JEDEC registration TO-236, except minimum foot length.
4. Support pin may differ or may not be present.
5. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not exceed
0.25mm per side
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBZ0003A
SOT-23 - 1.12 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
3X (1.3)
1
3X (0.6)
SYMM
3
2X (0.95)
2
(R0.05) TYP
(2.1)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
METAL
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
0.07 MIN
ALL AROUND
0.07 MAX
ALL AROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214838/F 08/2024
NOTES: (continued)
5. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
6. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBZ0003A
SOT-23 - 1.12 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
3X (1.3)
1
3X (0.6)
SYMM
3
2X(0.95)
2
(R0.05) TYP
(2.1)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 THICK STENCIL
SCALE:15X
4214838/F 08/2024
NOTES: (continued)
7. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
8. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
LPG0003A
TO-92 - 5.05 mm max height
SCALE 1.300
TRANSISTOR OUTLINE
4.1
3.9
3.25
3.05
3X
0.55
0.40
5.05
MAX
3
1
3X (0.8)
3X
15.5
15.1
3X
0.48
0.35
3X
2X 1.27 0.05
0.51
0.36
2.64
2.44
2.68
2.28
1.62
1.42
2X (45 )
1
(0.5425)
2
3
0.86
0.66
4221343/C 01/2018
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
LPG0003A
TO-92 - 5.05 mm max height
TRANSISTOR OUTLINE
0.05 MAX
ALL AROUND
TYP
FULL R
TYP
METAL
TYP
(1.07)
3X ( 0.75) VIA
2X
METAL
(1.7)
2X (1.7)
2
1
2X
SOLDER MASK
OPENING
3
2X (1.07)
(R0.05) TYP
(1.27)
SOLDER MASK
OPENING
(2.54)
LAND PATTERN EXAMPLE
NON-SOLDER MASK DEFINED
SCALE:20X
4221343/C 01/2018
www.ti.com
TAPE SPECIFICATIONS
LPG0003A
TO-92 - 5.05 mm max height
TRANSISTOR OUTLINE
0
13.0
12.4
1
0
1
1 MAX
21
18
2.5 MIN
6.5
5.5
9.5
8.5
0.25
0.15
19.0
17.5
3.8-4.2 TYP
6.55
6.15
12.9
12.5
0.45
0.35
4221343/C 01/2018
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GENERIC PACKAGE VIEW
DMR 4
X2SON - 0.4 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
1.1 x 1.4, 0.5 mm pitch
This image is a representation of the package family, actual package may vary.
Refer to the product data sheet for package details.
4229480/A
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
DMR0004A
X2SON - 0.4 mm max height
SCALE 9.000
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
1.15
1.05
B
A
PIN 1 INDEX AREA
1.45
1.35
(0.13) TYP
C
0.4 MAX
SEATING PLANE
NOTE 4
0.05
0.00
0.08 C
2X 0.5
SYMM
2
3
NOTE 4
EXPOSED
THERMAL PAD
5
SYMM
0.6 0.1
4X
PIN 1 ID
(OPTIONAL)
0.25
0.15
4
1
4X
0.8 0.1
0.27
0.17
0.1
0.05
C B
C
A
4222825/B 05/2022
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.
4. Quantity and shape of side wall metal may vary.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DMR0004A
X2SON - 0.4 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
2X (0.5)
4X (0.22)
(R0.05) TYP
4
1
4X (0.4)
5
SYMM
(0.6)
(1.4)
( 0.2) VIA
2
SYMM
3
(0.8)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:35X
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
METAL
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
NON SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4222825/B 05/2022
NOTES: (continued)
5. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
6. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If all or some are implemented, recommended via locations are shown.
It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DMR0004A
X2SON - 0.4 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
2X (0.5)
4X (0.22)
(R0.05) TYP
4
1
4X (0.4)
5
SYMM
(0.57)
(1.4)
METAL
TYP
2
SYMM
3
(0.76)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.1 mm THICK STENCIL
EXPOSED PAD 5:
90% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA
SCALE:50X
4222825/B 05/2022
NOTES: (continued)
7. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
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重要通知和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
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